第三代碳化硅肖特基二極管（英飛凌）

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二極管的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份有限公司近日在應(yīng)用電源電子大會(huì)暨展覽會(huì)（APEC）上推出第三代thinQ!™  SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界最低的器件電容，可在高開(kāi)關(guān)頻率和輕負(fù)載條件下提升整個(gè)系統(tǒng)的效率，從而幫助降低電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成本。此外，英飛凌推出的第三代SiC肖特基二極管是業(yè)界種類最為齊全的碳化硅肖特基二極管系列，不僅包括TO-220封裝（真正的雙管腳版本）產(chǎn)品，還包括面向高功率密度表面貼裝設(shè)計(jì)的DPAK封裝產(chǎn)品。

SiC肖特基二極管的主要應(yīng)用領(lǐng)域是開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）的有源功率因數(shù)校正（CCM PFC）和太陽(yáng)能逆變器與電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等其他AC/DC和DC/DC電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

相對(duì)于第二代產(chǎn)品，英飛凌全新的SiC肖特基二極管的器件電容降低約40%，因此減少了開(kāi)關(guān)損耗。例如，工作頻率為250 kHz的1kW功率因數(shù)校正級(jí)在20%負(fù)載條件下整體能效將提高0.4%。更高的開(kāi)關(guān)頻率允許使用成本更低、更小的無(wú)源組件（如電感和電容器），實(shí)現(xiàn)更高功率密度設(shè)計(jì)。更低的功耗也降低了對(duì)散熱器和風(fēng)扇的尺寸和數(shù)量要求，從而降低系統(tǒng)成本，提高可靠性。英飛凌期望將某些SMPS應(yīng)用的系統(tǒng)成本降低20%。

英飛凌工業(yè)及多元化電子市場(chǎng)部高壓MOS業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Andreas Urschitz指出：“英飛凌在全球范圍內(nèi)率先提供SiC肖特基二極管，于2001年推出首批產(chǎn)品。近8年來(lái)，英飛凌在多個(gè)方面對(duì)碳化硅肖特基二極管技術(shù)進(jìn)行了眾多重大改進(jìn)，例如浪涌電流穩(wěn)定性、開(kāi)關(guān)性能和產(chǎn)品成本，使SiC技術(shù)惠及更多應(yīng)用，并且降低了解決方案成本。SiC是一種真正的創(chuàng)新技術(shù)，有助于對(duì)抗全球氣候變化，推動(dòng)太陽(yáng)能和節(jié)能照明系統(tǒng)市場(chǎng)發(fā)展?！?/p>

供貨、封裝與定價(jià)
英飛凌第三代 thinQ! SiC肖特基二極管提供采用TO-220和DPAK封裝的600V（3A、4A、 5A、6A、8A、9A、10A和12 A）產(chǎn)品和采用 TO-220封裝的1200V產(chǎn)品（2A、5A、8A、10A和 15 A）。產(chǎn)品樣品于2009年1月開(kāi)始提供，預(yù)計(jì)在2009年早春開(kāi)始批量生產(chǎn)。阻斷電壓為600V（3A）的第三代 SiC肖特基二極管在訂購(gòu)量達(dá)到萬(wàn)片時(shí)的單價(jià)為0.61歐元（0.85美元）。電流為4A的產(chǎn)品在訂購(gòu)量達(dá)到萬(wàn)片時(shí)的單價(jià)為0.85歐元（1.19美元），電流為8 A的產(chǎn)品在訂購(gòu)量達(dá)到萬(wàn)片時(shí)的單價(jià)為1.89歐元（2.65美元）。