N溝道功率MOSFET（Vishay Siliconix）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用熱增強PowerPAK® SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET®家族的陣容。今天發(fā)布的器件包括業(yè)界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件，以及具有業(yè)內最低導通電阻的20V MOSFET。
已經發(fā)布的Siliconix SiB414DK是首款8V單N溝道功率MOSFET，也采用PowerPAK SC-75占位的封裝，30V SiB408DK和20V SiB412DK的加入進一步壯大了該產品系列。SiB408DK在10V時的導通電阻只有40mΩ，SiB412DK在4.5V時的導通電阻低至34mΩ，比最接近的競爭器件低21%。
PowerPAK SC-75封裝的尺寸為1.6mmx16.mmx0.8mm，比2mmx2mm的器件小72％，比廣泛使用的TSOP-6器件小72%，同時具有近似的導通電阻。而對設計者來說，更小尺寸的PowerPAK SC-75能夠在便攜式電子產品中節(jié)省空間、降低功耗，從而在滿足消費者對電池運行時間要求的前提下，提供更多的功能。
N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET的典型應用包括負載、功放和便攜式電子產品中的電池開關。與常用的3mm x 3mm封裝相比，該器件可節(jié)約在1/8磚或1/16磚電源模塊中的所占空間。SiB408DK還可用做筆記本電腦和上網本中的負載開關。
這些器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范和RoHS指令2002/95/EC。MOSFET百分之百通過了Rg和UIS測試。
器件規(guī)格表
型號 | SiB414DK | SiB412DK | SiB408DK |
VDS | 8 V | 20 V | 30 V |
VGS | ± 5 V | ± 8 V | ± 20 V |
RDS(ON) @ 10 V | | | |
RDS(ON) @ 4.5 V | |||
RDS(ON) @ 2.5 V | | ||
RDS(ON) @ 1.8 V | | ||
RDS(ON) @ 1.5 V | | | |
RDS(ON) @ 1.2 V | | |
新款N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。
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