羅姆開(kāi)發(fā)出超低VF小型肖特基勢(shì)壘二極管

21ic訊 羅姆面向智能手機(jī)等便攜設(shè)備開(kāi)發(fā)出業(yè)界頂級(jí)的低VF小型肖特基勢(shì)壘二極管“RBE系列”。

本產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)500萬(wàn)個(gè)的規(guī)模開(kāi)始量產(chǎn)，隨著客戶采用的增加，從2012年9月份開(kāi)始將產(chǎn)能擴(kuò)充為每月1000萬(wàn)個(gè)。

此次，產(chǎn)品陣容中新增了更加小型的VML2封裝(1.0×0.6mm)。通過(guò)這些產(chǎn)品，將非常有助于便攜設(shè)備節(jié)省空間。

生產(chǎn)基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國(guó))、ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(天津)、ROHM Semiconductor Korea Corporation(韓國(guó))、ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來(lái)西亞)。

近年來(lái)，智能手機(jī)等便攜設(shè)備的多功能化日益加速，對(duì)電池的長(zhǎng)時(shí)間驅(qū)動(dòng)需求強(qiáng)勁。降低耗電量成為首要課題，電源電路日趨向低電壓、大電流化方向發(fā)展。為此，電源電路中采用的肖特基勢(shì)壘二極管需要低VF且平均整流電流較高的產(chǎn)品。但是，為了降低VF并且實(shí)現(xiàn)大電流化，需要增加芯片尺寸，因此很難滿足對(duì)“小型”的需求。

此次羅姆通過(guò)優(yōu)化二極管的元件結(jié)構(gòu)，大幅改善了電流效率。與以往的相同封裝產(chǎn)品相比，VF降低了約32%，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低VF。由此，可以大幅抑制施加正向電流所產(chǎn)生的發(fā)熱，相同封裝也可確保大電流。

另外，由于確保了大電流，可以實(shí)現(xiàn)比以往封裝產(chǎn)品更加小型封裝的設(shè)計(jì)(在相同額定電流下相比)，最大安裝面積消減了約80%。

羅姆今后會(huì)不斷追求更加小型、低VF、大電流化，不斷完善滿足客戶需求的產(chǎn)品陣容。

<特點(diǎn)>

1) 小型封裝，確保大電流

業(yè)界頂級(jí)的低VF，以小型封裝可確保大電流。

2) 最大可節(jié)約80%的空間

確保大電流，可實(shí)現(xiàn)相同尺寸更加小型封裝的設(shè)計(jì)。

<智能手機(jī)電路例>

<規(guī)格>