TDK推出薄膜電容器 具有更多端子配置和更高電容值的緩沖電容器

21ic訊 TDK公司擴(kuò)展了旗下愛普科斯(EPCOS) 緩沖薄膜電容器產(chǎn)品系列，現(xiàn)可提供具有17種不同的端子配置的產(chǎn)品，以保護(hù)市面上更多的IGBT模塊不受電壓峰值損壞。

MKP B32656S*至B32658S*系列緩沖電容器具有超高的脈沖強(qiáng)度和觸點(diǎn)可靠性，同時(shí)具有極低的ESL值;電壓范圍為850V DC至2000V DC，電容值范圍為68 nF至5.6 µF;共有17種鍍錫銅端子配置可選，孔距為19.5至63 mm。所有系列的電容器工作溫度最高可達(dá)+110 °C。

術(shù)語(yǔ)IGBT：IGBT指絕緣柵雙極型晶體管，是一種半導(dǎo)體元件，主要應(yīng)用于變頻器中的電力開關(guān)

主要應(yīng)用保護(hù)變頻器中的IGBT模塊不受電壓峰值損壞

主要特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)共17中端子配置可選

高脈沖強(qiáng)度，工作電壓高達(dá)2000 V DC

高電容值，最高可達(dá)5.6 µF