UnitedSiC發(fā)布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列產(chǎn)品

21IC訊 碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布推出采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3L封裝的UF3C FAST系列650V和120 V高性能碳化硅FET。與現(xiàn)有的UJC3系列相比，F(xiàn)AST系列具有更快的開關(guān)速度和更高的效率水平。

基于UnitedSiC專有的共源共柵配置技術(shù)，新發(fā)布的系列產(chǎn)品在具備更高開關(guān)速度的同時(shí)，也能夠?yàn)榇蠖鄶?shù)TO-247-3L IGBT、Si-MOSFET和SiC-MOSFET器件提供“直接”替代解決方案。這意味著系統(tǒng)可以輕松升級(jí)到更高的性能和效率，而無需更改現(xiàn)有的柵極驅(qū)動(dòng)電路。由于Qrr可以減小50%，因而能夠降低導(dǎo)通損耗。對(duì)于高電流使用，僅需一個(gè)小型、低成本的RC緩沖器，這也簡(jiǎn)化了系統(tǒng)的抗電磁干擾設(shè)計(jì)。

UF3C FAST系列適合于應(yīng)用各種硬開關(guān)電路，如有源整流器和圖騰柱PFC級(jí)，通?？捎糜陔妱?dòng)汽車(EV)充電、電信整流器和服務(wù)器電源等。

UF3C FAST系列基于UnitedSiC的第三代 SiC晶體管技術(shù)，將更快的SiC JFET和定制設(shè)計(jì)的Si-MOSFET集成在一起，能夠?qū)崿F(xiàn)通常處于關(guān)閉的高性能體二極管和MOSFET簡(jiǎn)易柵極驅(qū)動(dòng)的理想組合。與其他寬帶隙技術(shù)相比，SiC共源共柵器件支持標(biāo)準(zhǔn)的12V柵極驅(qū)動(dòng)，并能夠確保雪崩額定值(100%經(jīng)過生產(chǎn)測(cè)試)。

UnitedSiC工程副總裁Anup Bhalla表示：“UnitedSiC的新型FAST SiC FET系列可以很輕松地使用，并具有極高性價(jià)比。該產(chǎn)品系列在高功率設(shè)計(jì)應(yīng)用中使設(shè)計(jì)工程師有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)更高的效率。”

新發(fā)布的產(chǎn)品系列包括以下部件：UF3C120040K3S(1200V/35mΩ)、UF3C065030K3S(650V/30mΩ)和UF3C065040K3S(650V/42mΩ)。

價(jià)格和供貨

按1000片批量計(jì)算，該產(chǎn)品系列的價(jià)格范圍從UF3C065040K3S的14.50美元到UF3C120040K3S的24.50美元不等。貿(mào)澤電子和其他當(dāng)?shù)胤咒N商可提供產(chǎn)品庫(kù)存。