貿(mào)澤開(kāi)售TI LMG3410R070 GaN功率級(jí)產(chǎn)品 支持新型電動(dòng)機(jī)的高密度需求

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)產(chǎn)品。LMG3410R070具有超低的輸入和輸出電容，支持高功率密度電動(dòng)機(jī)應(yīng)用的新要求，適合的應(yīng)用包括工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)電源。此款高性能GaN功率級(jí)產(chǎn)品支持的電流、溫度、電壓和開(kāi)關(guān)頻率比硅晶體管更高，同時(shí)還可減少高達(dá)80%的開(kāi)關(guān)損耗。

貿(mào)澤電子供應(yīng)的TI LMG3410R070 GaN功率級(jí)產(chǎn)品集成有柵極驅(qū)動(dòng)器和穩(wěn)定可靠的保護(hù)功能，可提供比硅MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 更出色的性能。該器件具有零共源極電感、25至100 V/ns可由用戶調(diào)整的壓擺率以及適合兆赫級(jí)作業(yè)的20 ns傳播延遲。這款穩(wěn)定可靠的IC提供過(guò)電流保護(hù)，支持超過(guò)150 V/ns壓擺率的抗擾性、過(guò)熱保護(hù)以及瞬態(tài)過(guò)電壓抗擾性，且所有供電軌皆具備過(guò)電壓鎖定保護(hù)功能。LMG3410R070功率級(jí)產(chǎn)品采用尺寸小巧的8 mm × 8 mm QFN封裝，無(wú)需外部保護(hù)元件，有助于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和布局流程。

功能強(qiáng)大的LMG3410R070很適合搭配KEMET Electronics的KC-LINK表面貼裝電容器使用。KC-LINK電容器經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，具有極低的有效串聯(lián)電阻和熱阻，可幫助裝置承受高頻率、高電壓DC鏈路應(yīng)用的應(yīng)力，從而滿足TI LMG3410R070 IC 等快速開(kāi)關(guān)半導(dǎo)體的需求。

TI LMG3410R070功率級(jí)產(chǎn)品提供優(yōu)異的功率密度， 有助于實(shí)現(xiàn)totem-pole PFC之類的高效拓?fù)?，幫助電源縮小高達(dá)50%的尺寸。LMG3410R070 IC適合的應(yīng)用包括多級(jí)轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能逆變器、高電壓電池充電器和不間斷電源。