高隔離度SPDT開關(guān) GaAs MMIC NJG1666MD7 （新日本無線）

新日本無線現(xiàn)開發(fā)完成了最適合于TV調(diào)諧器等信號分離的高隔離度SPDT開關(guān)GaAs MMIC NJG1666MD7，并已開始供貨了。

近年來，隨著裝載有FM和1seg等多數(shù)調(diào)諧器的設(shè)備的增加，市場需求用于分離接收信號的具有高隔離度的SPDT開關(guān)。為了適應(yīng)市場的要求，新日本無線開發(fā)了最適合于信號分離的SPDT開關(guān)系列產(chǎn)品。要求更高隔離度的STB※和TV調(diào)諧器等設(shè)備把已有的SPDT開關(guān)多段連接使用或使用分立電路。NJG1666MD7是實現(xiàn)了使要求高隔離度特性的設(shè)備更加容易把信號分離而開發(fā)的SPDT開關(guān)。

特征1　同時實現(xiàn)了高隔離度和低插入損耗
完成了高隔離度的電路設(shè)計和減少了IC芯片、封裝內(nèi)的寄生電容，從而實現(xiàn)了高隔離度(70dB@250MHz, 60dB@2.2GHz)的特性，并且實現(xiàn)了很難同時共存的低插入損耗(0.50dB typ.@f=2200MHz)。

特征2　采用了小型、超薄型封裝
NJG1666MD7采用了小型、超薄型封裝EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.)，實現(xiàn)了比以往產(chǎn)品(NJG1512HD3：2.0×1.8×0.8mm)28%面積的節(jié)減，使安裝基板節(jié)省了空間并可小型化。
　　　　　
特征3　實現(xiàn)了高ESD(Electrostatic Discharge)耐壓　
內(nèi)置有保護(hù)器件，從而實現(xiàn)了在MM(Machine Model)機(jī)器放電模式上可200V以上和在HBM(Human Body Model)人體放電模式上可3000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)耐圧。

應(yīng)用
・STB
・TV調(diào)諧器

產(chǎn)品性能
・低工作電壓 　　　　　VDD =+2.0～+4.5V
・低切換電壓 　　　　　VCTL(H) =+1.3V min
・低消耗電流 　　　　　30μA typ.
・高隔離度 　70dB typ.　 　@f=250MHz
 　　　　　　　　　　60dB typ.     @f=1000MHz
 　　　　　　　　　　60dB typ. 　　@f=2200MHz
・低插入損耗 　　　　　 0.40dB typ. 　@f=250MHz
 　　　　　　　　　　0.45dB typ. 　@f=1000MHz
 　　　　　　　　　　0.50dB typ. 　@f=2200MHz
・高ESD耐壓 內(nèi)置有ESD保護(hù)電路
・無鉛無鹵化物
・小型、超薄型封裝 EQFN14-D7 (封裝尺寸: 1.6x1.6x0.397mm typ.)

生產(chǎn)計劃／參考價格
・樣品的供貨：　　已經(jīng)從2009年12月開始了
・生產(chǎn)　　?。骸　☆A(yù)定從2010年1月開始，每月生產(chǎn)30萬個
・參考價格?。骸　蝺r100日元以上