恩智浦半導體（NXP Semiconductors）最新推出的第四代低VCEsat (BISS-4)晶體管的前8種產(chǎn)品在IIC展會上吸引了很多觀眾的關注。
之所以將這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，是因為它們?yōu)闇p少打開導通電阻確立了新的基準，使開關時間減到絕對最小值。
據(jù)恩智浦半導體技術市場經(jīng)理高德勇介紹：“此前恩智浦已經(jīng)成功推出了三代晶體管產(chǎn)品系列。目前市場對晶體管的需求朝著兩個方向發(fā)展，即超低飽和壓降（VCEsat）及高速開關。恩智浦全新推出的第四代晶體管BISS-4正滿足了這一需求。第四代產(chǎn)品分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時實現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓；高速開關晶體管使開關和存儲時間降低到125 ns，特別適合用于馬達驅(qū)動?！?/p>
高德勇表示：“采用了低電阻基底技術的BISS-4為要求更高性能和降低開關損耗的應用提供了理想選擇，它們的電壓范圍為20 V - 60 V，采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)?！?/p>
恩智浦半導體在10年前推出了BISS晶體管家族，目前第一代產(chǎn)品仍有在市場上有相當多的應用，不過，便攜產(chǎn)品已經(jīng)對能耗越來越敏感。以手機等消費類應用為例，由于市場對飽和壓降的指標已經(jīng)有的更高的要求，BISS-4的飽和壓降最低達37mV，比前一代產(chǎn)品的84mV有了顯著的降低，可有效延遲手機的待機時間。
此外，BISS-4提供了高電路效率、低功率損耗，產(chǎn)生的熱量要小于相同封裝的標準晶體管。這些新產(chǎn)品的DC集電極電流為4.3 A (峰值 ICM 8 A)，采用小型SOT23封裝，其性能是采用SOT23的上一代低VCEsat 晶體管的兩倍。新的BISS-4晶體管是為大批量消費者應用、通信應用、計算應用和汽車應用中的負荷開關、開關式電源(SMPS)和電源管理功能設計的。
據(jù)高德勇介紹：“在2010年第一季度末即將推出的SMD封裝的其它類型SOT89、SOT223和SO-8是中功率的晶體管產(chǎn)品，將擴大新的低VCEsat (BISS)晶體管系列，滿足更多應用的需求。
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