Infineon推出新型內(nèi)存產(chǎn)品

    英飛凌科技公司（Infineon）近日發(fā)布了適用于筆記本電腦和圖形應用的新型高密度內(nèi)存產(chǎn)品，旨在幫助系統(tǒng)制造商滿足不斷增長的移動、微型化以及逼真圖形應用的需求。 

·    2GB雙晶片DDR2 SO-DIMM （雙倍數(shù)據(jù)速率，小外形雙列直插內(nèi)存模塊），散熱條件和功耗都得以改善

·    以最小DIMM尺寸提供最大內(nèi)存密度的1GB DDR2 Micro-DIMM

    英飛凌同時還擴展了其顯存產(chǎn)品組合，推出了兩款面向高性能和主流系統(tǒng)應用的新產(chǎn)品：

·    512MB GDDR3 （圖形雙數(shù)據(jù)速率3）顯存，密度和帶寬都得以增加以滿足高級 3D圖形所需
·    新型256MB DDR2圖形RAM （隨機訪問內(nèi)存），功能更多，體積更小，速度高達450MHz

    英飛凌推出了面向新一代高端筆記本電腦和便攜式電腦的2GB DDR2雙晶片 SO-DIMM的第一批工程樣品，新一代高端筆記本電腦和便攜式電腦由于尺寸更小，因此要求降低內(nèi)存模塊的厚度和高度。英飛凌2GB DDR2 SO-DIMM是利用 8個雙晶片 2Gb DDR2 顆粒制成的，可在30mm標準高度和3.8mm厚度上實現(xiàn)當前最高的2GB密度。該模塊是Dual-rank內(nèi)存，工作電壓為1.8V。 

    2GB DDR2 SO-DIMM樣品現(xiàn)在已經(jīng)供貨，價格為1,700美元。