美光科技(Micron Technology, Inc)近日推出了第三代低延時DRAM (RLDRAM○R 3內存)—一種高帶寬內存技術，能更有效的傳輸網絡信息。視頻內容、移動應用和云計算的蓬勃發(fā)展，對網絡基礎設施提出了更高效的要求，以便在線傳輸大量數據。與前幾代產品相比，美光新的RLDRAM 3內存進一步提高了存儲密度和速度，同時最大限度地減少了延遲，降低了功耗，在網絡應用中性能更好。
美光的DRAM營銷副總裁Robert Feurle說：“隨著互聯網內容消費的不斷增長，人們日益需要有一種能支持網絡流量增長的技術，美光的RLDRAM 3內存滿足了這種需求”。
對于現有的RLDRAM 2，美光將繼續(xù)提供最高水平的技術支持，并計劃長期生產該產品。此外，美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50nm工藝，提高系統(tǒng)性能，降低功耗。
RLDRAM 3內存產品特點
美光新的RLDRAM 3內存的主要特點及優(yōu)點有：
低延時：tRC不足10納秒，是業(yè)界最低的隨機存取延時
高密度：576Mb-1Gb，靈活性高，可用于多種設計
高速率：達2133Mb/s，數據存取速度更快
高能效：1.2V IO和1.35V內核電壓，更省電
構建RLDRAM 合作伙伴網絡
美光維持著龐大的合作伙伴網絡，使其RLDRAM存儲解決方案能更方便地與網絡設備集成。美光與其合作伙伴展開了廣泛合作，為客戶提供量身定制的解決方案，優(yōu)化網絡系統(tǒng)性能。作為這個價值生態(tài)系統(tǒng)的一部分，美光目前合作的領先FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx，RLDRAM 3內存可集成到其產品系列中。
Altera組件產品營銷資深總監(jiān)Luanne Schirrmeister說：“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化數據通路，針對美光內存設有高性能、低延遲接口。RLDRAM 3內存的發(fā)布讓我們的內存帶寬可高達1600 Mbps，為行業(yè)內最高速度，大幅降低了延時。美光新的存儲產品搭配Altera新的內存接口架構是一項重要技術成果，是我們與美光多年技術合作的一項巔峰之作?！?/p>
Xilinx應用和技術營銷資深總監(jiān)Rina Raman說：“Xilinx 7系列FPGA應用于最高級的網絡設備，用于滿足全世界對帶寬無止盡的需求。我們與美光合作，支持其新的RLDRAM 3技術，讓我們的客戶能夠開發(fā)網絡平臺，來滿足最嚴格的基礎設施需求?！?/p>
產品可用性
美光預計將在2011年上半年開始對其RLDRAM 3進行抽樣，目前正與客戶合作，征求其對RLDRAM 3內存設計的意見。此外，美光預計將在2010年第四季度開始對其50nm RLDRAM 2產品進行抽樣。
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