QDR聯(lián)盟推出新型最高速的QDR SRAM

21ic訊 包括賽普拉斯半導(dǎo)體公司和瑞薩電子公司在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲（MHz）的時(shí)鐘頻率允許。這些器件將與現(xiàn)有的QDR II+器件在管腳、尺寸和功能方面兼容，從而使網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、路由器及聚合平臺(tái)制造商不必修改電路板設(shè)計(jì)，只需提高系統(tǒng)內(nèi)時(shí)鐘速度即可大幅改善產(chǎn)品性能。

新型QDR II+ Xtreme SRAM將采用x18 o或x36字寬，4或2次突發(fā)訪問(wèn)。4次突發(fā)器件的隨機(jī)存取速率（RTR）可達(dá)每秒6.33億次，工作時(shí)鐘頻率為633MHz，這是QDR SRAM器件現(xiàn)有的最高速度。2次突發(fā)器件以450MHz的頻率工作，RTR可達(dá)每秒9億次隨機(jī)傳輸，這比以同樣頻率運(yùn)行的上一代4次突發(fā)器件的RTR提高了一倍。 隨機(jī)存取速率的定義是每秒進(jìn)行的完全隨機(jī)存取次數(shù)，是重要的存儲(chǔ)器指標(biāo)，用以衡量增加的線或交換速度。

賽普拉斯存儲(chǔ)器事業(yè)部執(zhí)行副總裁Dana Nazarian 說(shuō)：“QDR II+ Xtreme產(chǎn)品無(wú)需重新進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)即可大幅提升性能，這對(duì)于期望趕上流量要求步伐的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備制造商非常有吸引力。QDR聯(lián)盟正積極制定一系列后續(xù)解決方案，以支持網(wǎng)絡(luò)工業(yè)界對(duì)存儲(chǔ)器不斷提高的要求。”

瑞薩電子公司工業(yè)和網(wǎng)絡(luò)事業(yè)部高級(jí)經(jīng)理Hiroyuki Goto說(shuō)：“SRAM器件是追求高性能存儲(chǔ)器解決方案的客戶的另一個(gè)很好的選擇。我們很高興能以QDR II+ Xtreme架構(gòu)保持領(lǐng)先地位。”

供貨情況
賽普拉斯的36兆比特(Mb)和72Mb QDR II+ Xtreme器件的工程樣片將于2011年年中向領(lǐng)先客戶提供。

關(guān)于QDR聯(lián)盟
QDR聯(lián)盟成立于1999年，旨在為高性能網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用定義新的SRAM架構(gòu)。QDR聯(lián)盟的成員相互合作，開發(fā)用于網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的QDR SRAM系列器件。成員公司在其自有的生產(chǎn)設(shè)施中，根據(jù)各自的計(jì)劃設(shè)計(jì)并生產(chǎn)這些產(chǎn)品，并在市場(chǎng)上相互競(jìng)爭(zhēng)。