21ic訊 靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯誤校正代碼(ECC)的16Mb快速異步SRAM 已開始出樣。片上ECC功能可使新的SRAM具有最高水準(zhǔn)的數(shù)據(jù)可靠性，而無需另外的錯誤校正芯片，從而簡化設(shè)計并節(jié)省電路板空間。該器件可確保工業(yè)、軍事、通訊、數(shù)據(jù)處理、醫(yī)療、消費電子和汽車等應(yīng)用領(lǐng)域里的數(shù)據(jù)安全。
背景輻射造成的軟錯誤可損壞存儲內(nèi)容，丟失重要數(shù)據(jù)。賽普拉斯新型異步SRAM中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有錯誤校正動作，無需用戶干預(yù)，因而具有業(yè)界最佳的軟錯誤(SER)性能。 16Mb快速異步SRAM的存取時間可達到10-ns，而且與目前的異步SRAM管腳兼容，客戶不必更改電路板設(shè)計即可提高系統(tǒng)可靠性。
賽普拉斯還推出了一款新的快速異步SRAM，其PowerSnooze™功能結(jié)合了快速異步SRAM10-ns的存取時間和與MoBL系列相當(dāng)?shù)某痛龣C功耗。PowerSnooze是一種額外的深度睡眠節(jié)能模式，對于16Mb的SRAM來說，其典型深睡眠電流可低至12 uA。具有PowerSnooze功能的16Mb快速SRAM也可提供片上ECC功能。
賽普拉斯異步SRAM事業(yè)部高級總監(jiān)Sunil Thamaran說：“賽普拉斯是世界上無可爭議的異步SRAM領(lǐng)導(dǎo)者，擁有超過30年的開發(fā)經(jīng)驗和業(yè)界最寬的產(chǎn)品線。我們具有ECC功能的新型16Mb 異步SRAM是可靠的單片存儲解決方案，可用于高速和低功耗應(yīng)用。我們具有ECC功能的SRAM品種還會增加。”
賽普拉斯的16Mb異步SRAM具有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的x8, x16 和 x32配置。器件具有多種工作電壓(1.8V， 3V和5V)，工作溫度范圍為-40◦C 至 +85◦C(工業(yè)級)和-40◦C 至 +125◦C(汽車級)。
供貨情況
全新16Mb快速SRAM 和具有PowerSnooze 功能的16Mb 快速SRAM目前已有樣片，預(yù)計2014年7月份量產(chǎn)。這些器件以符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的48-pin TSOP I、 48-ball VFBGA、 119-ball BGA 和54-pin TSOP II方式封裝。
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