Infineon CMOS單芯片六頻收發(fā)器

時(shí)間：2005-06-16 21:35:00

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英飛凌科技公司（Infineon）近日在2005年長灘國際微波研討會(huì)上宣布，專為通用移動(dòng)通信系統(tǒng)（UMTS）應(yīng)用開發(fā)的全球首款CMOS單芯片射頻（RF）收發(fā)器樣品現(xiàn)已供貨。新的SMARTi 3G是全球首款支持目前用于世界不同地區(qū)的UMTS全部6個(gè)頻段的RF收發(fā)器。裝有SMARTi 3G的UMTS電話可在歐洲、亞洲、北美和日本使用。

對(duì)于基站和移動(dòng)設(shè)備之間基于HSDPA（高速下行分組接入）的下行數(shù)據(jù)容量而言，SMARTi 3G是首款符合HSDPA第八類規(guī)范的芯片，其數(shù)據(jù)傳輸率為其他RF收發(fā)器的兩倍，達(dá)到了7.2Mbit/s。此外，SMARTi 3G的封裝尺寸僅為5mm×5mm，比UMTS單頻RF收發(fā)器的封裝尺寸小30%——英飛凌SMARTi U的封裝尺寸為6.5mm×5.5mm。

SMARTi 3G使手機(jī)制造商能夠開發(fā)面向美國新興UMTS市場(chǎng)的解決方案，在該地區(qū)，W-CDMA和GSM共享相同頻段。即使在同時(shí)推出UMTS和GSM服務(wù)的情況下，1900MHz頻段（頻段II）和850MHz頻段（頻段V）仍可用于語音和高性能數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用。

SMARTi 3G是英飛凌大獲成功的UMTS收發(fā)器家族的最新成員。它可滿足W-CDMA UTRA FDD系統(tǒng)對(duì)于I到VI頻段的要求。SMARTi 3G具有與上一代單頻產(chǎn)品SMARTi U相同的接口，與大多數(shù)現(xiàn)有基帶系統(tǒng)高度兼容。它采用英飛凌標(biāo)準(zhǔn)130納米 CMOS處理技術(shù)制造而成，外殼采用81針和0.5mm間距的單PG-VVFSGA（超細(xì)間距半球柵陣列）綠色（無鉛、無鹵素）封裝，工作電壓為2.7V-3.0V。

SMARTi 3G目前已開始樣品出貨，預(yù)計(jì)2006年年初開始批量供貨。部分手機(jī)制造商已開始設(shè)計(jì)基于SMARTi 3G的新一代手機(jī)。