恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶體管推動(dòng)TD-LTE通訊變革

21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴(kuò)展產(chǎn)品。隨著中國開始鋪設(shè)全球最大4G網(wǎng)絡(luò)，Gen8+的推出將鞏固恩智浦TD-LTE產(chǎn)品組合(目前最完善的TD-LTE LDMOS產(chǎn)品組合)的地位，并且顯著提升性能、靈活性和經(jīng)濟(jì)性。BLC8G27LS-160AV是即將發(fā)布的第一款Gen8+器件，這全球最小也最經(jīng)濟(jì)的解決方案，用于有源天線戶外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。該設(shè)備可同時(shí)支持多達(dá)5個(gè)TD-LTE載波，并提供覆蓋全波段(2.5至2.7 GHz)的高效率。

Gen8+產(chǎn)品組合的一項(xiàng)突破性功能是采用了空腔塑料(ACP)封裝。相比陶瓷封裝，ACP更加經(jīng)濟(jì)、靈活，這意味著各款新產(chǎn)品將能更快和客戶見面。全新ACP封裝還允許使用改進(jìn)型無源器件，通過降低功耗并增加增益和效率來提升性能。Gen8+還加入了大量其他封裝選項(xiàng)，包括QFN、OMP和陶瓷封裝。

Gen8+產(chǎn)品組合最初設(shè)計(jì)用于頻率范圍在2300-2700 MHz之間的基站應(yīng)用。作為現(xiàn)有恩智浦LDMOS產(chǎn)品系列的擴(kuò)展，Gen8+增加了各個(gè)波段功耗水平的范圍，從5瓦到240瓦不等。Gen8+擁有出色的功率和較小尺寸，這意味著它還能進(jìn)一步節(jié)省成本。

恩智浦基站功率放大器產(chǎn)品市場總監(jiān)Christophe Cugge表示：“該產(chǎn)品組合針對(duì)支持TD-LTE網(wǎng)絡(luò)的無線基站、Gen8+的發(fā)布以及即將在中國鋪設(shè)的全球最大4G網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行了優(yōu)化。我們提供最完善的此類RF功率產(chǎn)品，重點(diǎn)關(guān)注于讓客戶能夠以最低成本提供最佳品質(zhì)的服務(wù)。Gen8+ LDMOS技術(shù)運(yùn)用恩智浦在RF功率產(chǎn)品領(lǐng)域的深厚積淀，以顯著的低成本提供前所未有的高性能、低功耗和更高效率，發(fā)揮出競爭優(yōu)勢，我們也計(jì)劃近期將其拓展到在所有其它制式基站應(yīng)用中去。”

上市時(shí)間

合格用戶可即刻索取Gen8+ ACP產(chǎn)品的工程樣本。BLC8G27LS-160AV和其他Gen8+ LDMOS晶體管的樣本將于2013年第3季度提供。