IDT公司發(fā)布采用全新恒阻抗技術(shù)的低損耗、高隔離度RF開關(guān)

IDT公司(IDT)今天宣布擴展其RF產(chǎn)品組合并發(fā)布兩個開關(guān)產(chǎn)品F2914和F2915，它們采用了業(yè)界最新的名為Kz的恒阻抗技術(shù)(constant impedance technology)，具有低損耗和高隔離度。F2914和F2915是50歐姆SP4T和SP5T RF開關(guān)，插入損耗只有1.1 dB，4 GHz對應(yīng)的IIP2為124 dBm，IIP3為61 dBm。

兩款產(chǎn)品采用了IDT公司全新的Kz創(chuàng)新設(shè)計技術(shù)，在RF端口之間切換時可保持近乎恒定的阻抗，改進了熱切換(hot switching)可靠性和系統(tǒng)響應(yīng)時間，同時可保護下游部件免受瞬態(tài)影響。新的開關(guān)產(chǎn)品理想適用于基站(2G、3G和4G)、直放站、測試與ATE設(shè)備、數(shù)字預(yù)失真和點對點(point-to-point)、公共安全和線纜基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。

IDT公司射頻事業(yè)部總經(jīng)理Chris Stephens介紹說：“具有高線性度的低損耗、高隔離度多端口開關(guān)產(chǎn)品在我們許多客戶的應(yīng)用中都是重要的組件。通過提供采用Kz創(chuàng)新設(shè)計技術(shù)實現(xiàn)的全新RF開關(guān)，我們?yōu)榭蛻籼峁┝艘环N實現(xiàn)可靠‘熱切換’、并具有最小電壓及阻抗偏差的組件。”

兩款開關(guān)產(chǎn)品采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的NBG24 4mm x 4mm 24引腳QFN封裝，可使客戶在現(xiàn)有以及未來設(shè)計中都能夠采用新開關(guān)。