ST推出業(yè)內(nèi)最高頻率、最寬帶寬的集成化微波射頻合成器

21ic訊 近日橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)宣布推出新款的集成微波寬帶射頻合成器 STuW81300單片，可覆蓋1.925GHz至16GHz的射頻頻段，創(chuàng)下IC市場(chǎng)上最寬頻帶和最高頻率的記錄。與基于III-V技術(shù)的低集成度的傳統(tǒng)微波射頻合成器相比，STuW81300采用意法半導(dǎo)體的具有業(yè)界領(lǐng)先性能的BiCMOS SiGe集成制造工藝，可降低組件成本，實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)效益更高的多用途射頻架構(gòu)。

STuW81300整合了N型分頻鎖相環(huán)(PLL，phase-locked-loop)內(nèi)核，以及低器噪寬帶壓控振蕩器(VCO，voltage-controlled oscillators)和穩(wěn)壓器。此外，STuW81300還提供各種可編程硬件選項(xiàng)，以滿足最新和未來(lái)射頻/微波應(yīng)用需求，其中包括射頻通信、衛(wèi)星通信、基站、測(cè)試測(cè)量設(shè)備。

為支撐微波應(yīng)用市場(chǎng)迅猛擴(kuò)張，微波頻段(6GHz以上)的使用規(guī)模正在穩(wěn)步增長(zhǎng)，市場(chǎng)需要成本結(jié)構(gòu)優(yōu)化的能夠開(kāi)拓新市場(chǎng)的新一代射頻設(shè)備。將分立的砷化鎵(GaAs，gallium arsenide)架構(gòu)集成到寬帶SiGe芯片內(nèi)，可滿足這個(gè)需求。

STuW81300的主要技術(shù)特性有:

· 最寬的工作頻段，1.925GHz-16GHz(可分配給兩個(gè)射頻輸出)

· 內(nèi)部寬帶匹配射頻輸出功率：+6dBm@6GHz; +4dBm@12GHz

· 倍頻輸出基本VCO抑制高于20dB

· -227dBc/Hz歸一化帶內(nèi)相噪底

· VCO相位噪聲(6.0GHz)：-131dBc/Hz @ 1MHz頻偏

· 噪底(6.0GHz):-158dBc/Hz

· VCO相位噪聲(12.0GHz)：-125dBc/Hz @ 1MHz頻偏

· 噪底(12.0GHz):-154dBc/Hz

· 0.13ps典型RMS頻率抖動(dòng)

作為意法半導(dǎo)體的獲得市場(chǎng)成功的STW81200和STW8110x產(chǎn)品系列的升級(jí)換代產(chǎn)品，新射頻合成器提供高性能和高靈活性，可以同時(shí)在同一電路板設(shè)計(jì)上支持多頻帶和多射頻標(biāo)準(zhǔn)。例如在衛(wèi)星通信應(yīng)用中，STuW81300可直接用作本機(jī)振蕩器，在電路板連接一個(gè)倍頻器，可調(diào)制解調(diào)Ku頻段信號(hào)或者Ka頻段信號(hào)。在其它應(yīng)用中，STuW81300還能完全驅(qū)動(dòng)外部壓控振蕩器(例如GaAs)。

5V或3.6V非穩(wěn)壓?jiǎn)坞娫醋孲TW81300在市場(chǎng)上獨(dú)一無(wú)二，結(jié)合優(yōu)化的功耗和性能，使其應(yīng)用范圍從傳統(tǒng)市電供電基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)至低功耗應(yīng)用。

意法半導(dǎo)體目前已開(kāi)始提供STuW81300測(cè)試樣片，并獲得多家客戶采用，預(yù)計(jì)2016將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。意法半導(dǎo)體還可提供評(píng)估套件和6x6mm四邊扁平封裝的樣片。評(píng)估工具包括STWPLLSim軟件工具，讓開(kāi)發(fā)人員能夠按照項(xiàng)目實(shí)際要求快速且準(zhǔn)確地修改應(yīng)用設(shè)計(jì)。