QORVO®全新碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）放大器可進(jìn)一步降低電信基礎(chǔ)設(shè)施成本

 中國(guó)，北京 – 2017年8月10日 –實(shí)現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天宣布，推出一款全新的非對(duì)稱型 Doherty 放大器---QPD2731，有助于客戶在設(shè)計(jì)無(wú)線基站設(shè)備的過程中實(shí)現(xiàn)超高功效。該新一代碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)解決方案在單個(gè)封裝中采用兩個(gè)晶體管，可最大限度提高線性度、效率和增益，并最終降低運(yùn)營(yíng)成本。

Strategy Analytics服務(wù)總監(jiān)Eric Higham表示：“相比GaAs和InP等其他高頻技術(shù)，GaN器件可以處理更高的功率;相比LDMOS等其他功率技術(shù)，GaN的頻率性能更出色。”

Qorvo高性能解決方案業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理Roger Hall表示：“如今的電信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)就是要實(shí)現(xiàn)可降低成本的高功效。我們的客戶告訴我們，隨著運(yùn)營(yíng)商在線提供更多功能，新型GaN-on-SiC QPD2731晶體管可實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。”

因?yàn)長(zhǎng)DMOS和GaN-on-Si與之相比，熱性能較差，客戶正越來越多地轉(zhuǎn)向使用GaN-SiC，以大幅改善無(wú)線基站的性能、線性度和效率。QPD2731通過預(yù)匹配分立式GaN-on-SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實(shí)現(xiàn)這一轉(zhuǎn)變。目前提供樣片的這款新型放大器可在2.5至2.7 GHz的工作范圍內(nèi)提供業(yè)內(nèi)最高性能。

根據(jù)Qorvo之前發(fā)布的內(nèi)容，通過標(biāo)準(zhǔn)的市售第三方DPD系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)QPD2731的線性化。