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SIC1182K 最大8A的單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可提供高級(jí)有源鉗位和1200V加強(qiáng)絕緣
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SIC118xKQ 汽車級(jí)單通道SiC MOSFET和IGBT門極驅(qū)動(dòng)器，可提供高級(jí)有源鉗位和加強(qiáng)絕緣
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常見FAQ

• 為什么Power Integrations驅(qū)動(dòng)器在短路時(shí)不能慢 在各種名稱下已知的驅(qū)動(dòng)器電路，例如“兩級(jí)關(guān)斷”，“軟關(guān)斷”，“慢速關(guān)斷”，在正常操作中使用低歐姆柵極電阻來(lái)關(guān)閉IGBT，以便每當(dāng)檢測(cè)到短路或過(guò)流時(shí)，最小化開關(guān)損耗和高歐姆電阻(或更低的柵極電流)。然而，問(wèn)題在于可靠地檢測(cè)這些條件：Vce監(jiān)視總是涉及在檢測(cè)到錯(cuò)誤之前必須經(jīng)過(guò)的延遲(在這種情況下稱為響應(yīng)時(shí)間)。這個(gè)時(shí)間通常高達(dá)10us。如果實(shí)際存在短路并且IGBT的脈沖短于響應(yīng)時(shí)間，則不會(huì)檢測(cè)到錯(cuò)誤并且電路關(guān)斷太快。然后通過(guò)過(guò)電壓破壞IGBT。
  
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• Power Integrations是否提供數(shù)字門驅(qū)動(dòng)器？ Power Integrations門驅(qū)動(dòng)器結(jié)合了數(shù)字和模擬方法。每個(gè)Power Integrations驅(qū)動(dòng)程序中高度集成的SCALE和SCALE-2芯片組都依賴于混合信號(hào)架構(gòu)。數(shù)字構(gòu)建模塊和模擬單元的各自優(yōu)勢(shì)被戰(zhàn)略性地利用以產(chǎn)生最大性能。
  
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• 連接門極驅(qū)動(dòng)器常見問(wèn)題解答 對(duì)于電氣接口的即插即用驅(qū)動(dòng)器，建議使用哪種電纜？對(duì)CONCEPT門極驅(qū)動(dòng)器的輸入和輸出信號(hào)是否有要求？建議CONCEPT驅(qū)動(dòng)器采用多大的PWM信號(hào)電壓電平？……...