IR 推出高壓D類(lèi)音頻控制IC

時(shí)間：2005-10-05 04:51:00

關(guān)鍵字：高壓音頻控制控制IC MOSFET

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

IR近日推出專(zhuān)為每個(gè)通道高達(dá)500W的D類(lèi)音頻應(yīng)用開(kāi)發(fā)的200V控制集成電路IRS20124S。該器件集成的可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間、雙向過(guò)流感應(yīng)等功能可保護(hù)放大器系統(tǒng)。此外，這些特性還可以使音頻設(shè)計(jì)師簡(jiǎn)化電路并減少家庭影院娛樂(lè)系統(tǒng)、影音接收機(jī)和汽車(chē)音響系統(tǒng)中D類(lèi)音頻放大器的元件數(shù)量。

內(nèi)置的可選死區(qū)時(shí)間生成電路可對(duì)穩(wěn)定性進(jìn)行熱補(bǔ)償，并具有噪聲和電源電壓波動(dòng)免疫功能，以改善總諧波失真THD。 IRS20124S內(nèi)置雙向電流感應(yīng)和集成的關(guān)斷功能，在出現(xiàn)揚(yáng)聲器引線(xiàn)短路等過(guò)流狀況時(shí)保護(hù)輸出MOSFET。

IR消費(fèi)及工業(yè)產(chǎn)品部副總裁譚仲能指出：“使用這一新型D類(lèi)音頻集成電路來(lái)驅(qū)動(dòng)音頻MOSFET（如IRF6665），電路設(shè)計(jì)人員可以減少系統(tǒng)占板空間，改進(jìn)PCB布局，降低EMI和改善熱特性?！?

譚先生認(rèn)為，“D類(lèi)音頻電路需要承受高頻開(kāi)關(guān)的高電壓變化，IR專(zhuān)門(mén)為開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的MOSFET和高壓控制集成電路非常適合數(shù)字音頻系統(tǒng)的需要。其針對(duì)特殊應(yīng)用的器件具有更高的效率，能增加功率密度并具有更好的音頻性能?！?