飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出同步降壓轉換器芯片組，其設計特別利用最新的 IMVP (英特爾移動電壓定位) 技術規(guī)范，在筆記本電腦中優(yōu)化效率和空間。通過飛兆半導體的PowerTrench® MOSFET技術，高端“控制”MOSFET (FDS6298) 和低端“同步”MOSFET (FDS6299S) 會構成一個芯片組，為同步降壓轉換器應用提供更大的電流密度和更高的效率。此外，F(xiàn)DS6299S器件的單片電路SyncFET™ 技術毋須使用外部肖特基二極管，因此能節(jié)省電路板空間和裝配成本。
這種集成芯片組的米勒電荷 (Miller) Qgd極低，并具有快速的開關速度和小于1的Qgd / Qgs比，以限制交叉導通 (Cross-conduction) 損耗的可能性。除了Vcore設計之外，快速開關FDS6298和低導通阻抗RDS(on) FDS6299S提供了配對使用的好處，非常適合于高端通信設備等應用中的大電流負載點 (POL) 轉換器。
FDS6298 (高端) MOSFET的主要性能特性包括：
§ 低總Qg (9nC @ VGS=4.5V) 和Qgd (3nC @ VGS=4.5V)，具有快速開關速度，能提高效率；
§ 優(yōu)化的芯片和引線框架設計，能降低封裝阻抗和電感、減小傳導損耗及源極端電感開關損耗；
§ 規(guī)范的Rg和100% 的Rg測試實現(xiàn)優(yōu)良的漏源開關特性。
FDS6299S (低端) MOSFET的主要性能特性包括：
§ 低導通阻抗RDS(on) (3.9mOhm (max) @ VGS = 10V) 以減小DC損耗；
§ 低體二極管損耗 (低 QRR 和低前向電壓降) 以提高效率；
§ 軟恢復特性減少噪聲，低Crss減小交叉?zhèn)鲗У目赡苄?；?
§ 低總Qg (31nC @ VGS=5V) 降低柵級驅動要求。
這些產品均采用無鉛SO-8封裝，能達到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B標準要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。
FDS6298/FDS6299S同步降壓轉換器芯片組是飛兆半導體采用創(chuàng)新技術解決計算應用特定問題的又一示例。飛兆半導體提供多種相輔相成的產品以滿足今天的設計挑戰(zhàn)，包括功率放大器、多相DC/DC控制器，以及LDO等多負載點 (POL) 產品。
價格 (訂購1000個)： FDS6298每個0.62美元
FDS6299S每個1.18美元
供貨： 現(xiàn)貨
交貨期： 收到訂單后12周內
這種集成芯片組的米勒電荷 (Miller) Qgd極低，并具有快速的開關速度和小于1的Qgd / Qgs比，以限制交叉導通 (Cross-conduction) 損耗的可能性。除了Vcore設計之外，快速開關FDS6298和低導通阻抗RDS(on) FDS6299S提供了配對使用的好處，非常適合于高端通信設備等應用中的大電流負載點 (POL) 轉換器。
FDS6298 (高端) MOSFET的主要性能特性包括：
§ 低總Qg (9nC @ VGS=4.5V) 和Qgd (3nC @ VGS=4.5V)，具有快速開關速度，能提高效率；
§ 優(yōu)化的芯片和引線框架設計，能降低封裝阻抗和電感、減小傳導損耗及源極端電感開關損耗；
§ 規(guī)范的Rg和100% 的Rg測試實現(xiàn)優(yōu)良的漏源開關特性。
FDS6299S (低端) MOSFET的主要性能特性包括：
§ 低導通阻抗RDS(on) (3.9mOhm (max) @ VGS = 10V) 以減小DC損耗；
§ 低體二極管損耗 (低 QRR 和低前向電壓降) 以提高效率；
§ 軟恢復特性減少噪聲，低Crss減小交叉?zhèn)鲗У目赡苄?；?
§ 低總Qg (31nC @ VGS=5V) 降低柵級驅動要求。
這些產品均采用無鉛SO-8封裝，能達到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B標準要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。
FDS6298/FDS6299S同步降壓轉換器芯片組是飛兆半導體采用創(chuàng)新技術解決計算應用特定問題的又一示例。飛兆半導體提供多種相輔相成的產品以滿足今天的設計挑戰(zhàn)，包括功率放大器、多相DC/DC控制器，以及LDO等多負載點 (POL) 產品。
價格 (訂購1000個)： FDS6298每個0.62美元
FDS6299S每個1.18美元
供貨： 現(xiàn)貨
交貨期： 收到訂單后12周內
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