新系列半橋600V及1200V IGBT模塊（Vishay）

時(shí)間：2008-03-14 21:39:00

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[導(dǎo)讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個(gè) 600V 及 1200V 器件組成，這些器件采用多種技術(shù)，可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)工作頻率。

日前推出的這八款新器件采用可滿(mǎn)足各種應(yīng)用需求的三種不同 IGBT 技術(shù)。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用標(biāo)準(zhǔn)穿通 (PT) IGBT 技術(shù)，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS120UPbF器件采用可實(shí)現(xiàn)更緊參數(shù)分布及高效率的第 4 代技術(shù)。GB100TS60NPbF、GB150TS60NPbF 及GB200TS60NPbF 模塊采用第 5 代非穿通 (NPT) 技術(shù)，可實(shí)現(xiàn) 10µs 短路功能的額外優(yōu)勢(shì)。

其中GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF 是專(zhuān)為高達(dá) 1kHz 硬開(kāi)關(guān)工作頻率而進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)速度器件；其他六個(gè) IGBT 是與用于橋配置的 HEXFRED® 超軟恢復(fù)反并聯(lián)二極管共同封裝的超快速模塊，這些超快速器件可在硬開(kāi)關(guān)中實(shí)現(xiàn) 8kHz～60kHz 的高工作頻率，在共振模式下可實(shí)現(xiàn) 200kHz 以上的工作頻率。

Vishay 此次推出的全新 IGBT 系列具有 75A～200A 的高額定電流及低功耗，該系列器件專(zhuān)為高頻工業(yè)焊接、UPS、SMPS、太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器及電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的隔離與非隔離轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)、逆變器及斬波器而進(jìn)行了優(yōu)化。特別在輸出逆變器 TIG 焊機(jī)應(yīng)用中，這些 IGBT在額定電流時(shí)提供了當(dāng)前市場(chǎng)上“S”系列模塊中最低的 Vce(on) 。

上述全新 IGBT 系列器件均采用無(wú)鉛 (Pb)化工藝，可輕松地直接安裝到散熱片上。這些器件具有低 EMI，可減少緩沖，并可提供超低的結(jié)到外殼熱阻。

目前，這些新型 IGBT 模塊的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 8 周。