面向小型汽車(chē)電子單元的功率MOSFET（瑞薩電子）

瑞薩電子株式會(huì)社正式宣布：推出包括NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG等在內(nèi)的7款功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品。新產(chǎn)品主要面向汽車(chē)電子控制單元（如引擎控制單元和泵電機(jī)控制單元）的應(yīng)用，采用了8引腳HSON封裝，在實(shí)現(xiàn)封裝尺寸小于原有TO-252產(chǎn)品約一半的同時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)高達(dá)75A的電流。

作為半導(dǎo)體元件的MOSFET，由3個(gè)端子——柵極、漏極和源極組成，用于開(kāi)關(guān)元件，可以通過(guò)向柵極發(fā)出信號(hào)來(lái)控制漏極和源極之間的導(dǎo)通。而功率MOSFET，則是用于處理幾十安培或更高電流的產(chǎn)品。由于功率MOSFET用于實(shí)現(xiàn)大電流開(kāi)關(guān)，因此降低元件產(chǎn)生的熱量就變得尤為重要。為了解決這個(gè)問(wèn)題，原來(lái)的功率MOSFET在設(shè)計(jì)上選擇了具有出色散熱特性的大封裝。然而，隨著用于汽車(chē)使用的電子控制單元數(shù)量的逐年增加，電子元件也逐步朝著外形更小巧、功能更強(qiáng)大的方向發(fā)展。這種趨勢(shì)引發(fā)了對(duì)更小巧的功率MOSFET的需求。

此次瑞薩電子推出的新款功率MOSFET產(chǎn)品正是為了滿(mǎn)足上述需求。它們采用全新開(kāi)發(fā)、適于汽車(chē)電子系統(tǒng)的8引腳HSON封裝，同時(shí)保持了與早期MOSFET產(chǎn)品相同的性能。

新產(chǎn)品包括額定電壓為40V和60V的N-溝道MOSFET與額定電壓為-30V的P-溝道MOSFET，可以用作各類(lèi)線(xiàn)圈、電機(jī)和電池反向保護(hù)裝置的開(kāi)關(guān)等。其主要特性如下：

(1) 封裝尺寸小，約為現(xiàn)有產(chǎn)品（TO-252）的一半
新款產(chǎn)品所使用的全新8引腳HSON封裝，其表面積為T(mén)O-252封裝的一半。除了尺寸小以外，NP75N04YUG還能夠保證實(shí)現(xiàn)1.09°C/W的溝道-外殼熱阻（注釋1）。這就意味著，在外殼溫度固定在25°C的情況下，它可以處理138W的最高連續(xù)功率。因此，可以說(shuō)其性能與采用TO-252封裝的產(chǎn)品一樣高。而其小于原有產(chǎn)品約一半的尺寸，則有助于設(shè)計(jì)出更小的汽車(chē)控制單元。

(2) 處理高達(dá)75A的大電流
新款產(chǎn)品在芯片和引腳之間采用了在汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域具有出色記錄的鋁互連線(xiàn)。同時(shí)，多引線(xiàn)連接的設(shè)計(jì)也有助于改善大電流特性。因此，NP74N04YUG、NP75N04YUG和NP75P03YDG這3款產(chǎn)品的功率MOSFET均可保證處理75A的連續(xù)電流。

(3) 在高達(dá)175°C的溝道溫度下仍能保持其高性能
新款功率MOSFET產(chǎn)品在175°C的溫度下通過(guò)了1,000小時(shí)耐久性試驗(yàn)，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)對(duì)汽車(chē)應(yīng)用可靠性的要求。這就意味著這些MOSFET產(chǎn)品適于在高溫環(huán)境下使用，如發(fā)動(dòng)機(jī)艙等。

瑞薩電子相信，新款功率MOSFET產(chǎn)品會(huì)實(shí)現(xiàn)更小巧的汽車(chē)控制單元，使得系統(tǒng)設(shè)計(jì)者能夠有效利用汽車(chē)內(nèi)的有限空間，并能為其增添更為高級(jí)的功能。

注釋1.溝道-外殼熱阻:這是一個(gè)用以說(shuō)明熱量從溝道（芯片上發(fā)熱部分）中散出的難易程度的指數(shù)。 數(shù)值越小越好。

定價(jià)和供貨情況
目前新款功率MOSFET樣品已開(kāi)始供貨。NP23N06YDG的單價(jià)為0.65美元，NP75N04YUG的單價(jià)為11.0美元。將于2010年7月開(kāi)始批量生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2012年度內(nèi)月產(chǎn)量將達(dá)到200萬(wàn)片。（定價(jià)和供貨情況如有變更，恕不另行通知。）