國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負載開關(guān)、輕載電機驅(qū)動，以及電信設(shè)備等應(yīng)用。
新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價格。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這個全新的SOT-23 MOSFET系列支持從 -30V至100V的寬電壓范圍，并提供不同水平的 RDS(on) 和柵極電荷 (Qg) ，從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設(shè)計選擇?！?/p>
新器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，所采用的材料不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格
器件編號 | BVDSS | 10V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ) | 4.5V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ) | 典型Qg | |
IRLML9301TRPBF | -30V | 3.6 A | 51 / 64 | 82 / 103 | 4.8 nC |
IRLML9303TRPBF | -30V | 2.3 A | 135 / 165 | 220 / 270 | 2.0 nC |
IRLML0030TRPBF | 30V | 5.2 A | 22 / 27 | 33 / 40 | 2.6 nC |
IRLML2030TRPBF | 30V | 2.7 A | 80 / 100 | 123 / 154 | 1.0 nC |
IRLML0040TRPBF | 40V | 3.6 A | 44 / 56 | 62 / 78 | 2.6 nC |
IRLML0060TRPBF | 60V | 2.7 A | 78 / 92 | 98 / 116 | 2.5 nC |
IRLML2060TRPBF | 60V | 1.2 A | 356 / 460 | 475 / 620 | 0.4 nC |
IRLML0100TRPBF | 100V | 1.6 A | 178 / 220 | 190 / 235 | 2.5 nC |
新器件現(xiàn)正接受批量訂單
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