NS推出內(nèi)置MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器的全橋PWM控制器

21ic訊 美國國家半導(dǎo)體公司（NS）宣布推出業(yè)界首款內(nèi)置全部4個(gè)初級(jí)端橋接MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器的全橋脈沖調(diào)制（PWM）控制器。這兩款型號(hào)分別為LM5045及LM5046的控制器芯片可以提高1/4及1/8磚電源模塊的效率和功率密度，其應(yīng)用范圍極廣，包括適用于具有高輸入電壓的通信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施。

LM5045及LM5046 PWM 控制器屬于美國國家半導(dǎo)體PowerWiseÒ高能效芯片系列的最新產(chǎn)品，其特點(diǎn)是可以簡化全橋電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，例如，減少目前全橋方案所需的外置電源組件數(shù)目，讓采用全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電源體積進(jìn)一步縮小。如欲觀看此款相移全橋LM5046芯片的演示視頻，可瀏覽網(wǎng)頁：http://bit.ly/LM5045video。

美國國家半導(dǎo)體全新全橋PWM控制器 -- 技術(shù)特性

LM5045 PWM 控制器功能齊備，傳統(tǒng)的全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電源轉(zhuǎn)換器無論采用電流還是電壓控制模式，LM5045控制器都可為其提供所有必要的功能。雖然部分應(yīng)用必須加設(shè)零電壓開關(guān)（ZVS）功能，才可最小化開關(guān)切換噪聲所產(chǎn)生的電磁干擾（EMI），但 LM5046 PWM 控制器具備這方面的所有必要功能，使得只要采用相移全橋的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)便可解決這個(gè)問題。

這兩款全橋控制器采用外型小巧且散熱能力更強(qiáng)的LLP封裝，大小只有5.0 mm x 5.0 mm x 0.8 mm；另外也有 4.4 mm x 9.7 mm x 0.9 mm 的 TSSOP 封裝可供選擇。兩款控制器都可控制初級(jí)端的電源轉(zhuǎn)換，并適用于輸入電壓高達(dá)100V的隔離直流/直流轉(zhuǎn)換器。這兩款高度集成的控制器除了內(nèi)置高壓啟動(dòng)穩(wěn)壓器之外，還內(nèi)置多個(gè)高性能的2A高端及低端門極驅(qū)動(dòng)器，可以驅(qū)動(dòng)4個(gè)外置橋接MOSFET，也可為次級(jí)端同步整流器MOSFET提供控制信號(hào)。由于同步整流器（SR）具備智能啟動(dòng)功能，因此即使負(fù)載已有預(yù)偏壓，電源轉(zhuǎn)換器仍能以單調(diào)方式啟動(dòng)。此外，工程師也可通過外置電阻分別設(shè)置初級(jí)端及次級(jí)端同步整流器MOSFET控制信號(hào)之間的前沿/后沿停滯時(shí)間，以便充分發(fā)揮轉(zhuǎn)換效率。同步整流器控制信號(hào)的振幅不會(huì)超過5V，以便符合數(shù)字隔離器的要求。此外，這兩款控制器還有其他的功能，例如，包括每周期限流和打嗝模式重新啟動(dòng)在內(nèi)的雙模式過流保護(hù)、可編程軟啟動(dòng)、初級(jí)端和同步整流器的定時(shí)功能、可編程的線路欠壓鎖定和過壓保護(hù)以及過熱停機(jī)等功能，并內(nèi)置可同步的2MHz振蕩器。

美國國家半導(dǎo)體全新的LM5045及LM5046芯片可以搭配LM5110、LM5111及LM5112等次級(jí)端FET驅(qū)動(dòng)器組成一個(gè)功能齊備的控制系統(tǒng)，為效率高、體積小的全橋電源轉(zhuǎn)換器提供一個(gè)全方位的控制器解決方案。

價(jià)格及供貨情況

美國國家半導(dǎo)體這兩款新推出的全橋PWM控制器提供28引腳的LLP和散熱能力更強(qiáng)的TSSOP兩種封裝可供選擇，并已批量供貨，采購都以1,000顆為單位，LM5045芯片的單顆售價(jià)為2.25美元，而LM5046芯片的單顆售價(jià)為2.45美元。