Vishay Siliconix新款8V功率MOSFET創(chuàng)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄

時間：2011-08-15 01:50:02

關(guān)鍵字： Vishay 功率MOSFET 導(dǎo)通電阻 SILICONIX

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[導(dǎo)讀]21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。新款SiB437EDK

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。

新款SiB437EDKT可用做智能手機、MP3播放器、便攜式多媒體播放器、數(shù)碼相機、電子書和平板電腦等手持設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。器件的熱增強Thin PowerPAK® SC-75封裝占位面積小，超薄的高度只有0.65mm，能夠?qū)崿F(xiàn)更小、更薄的終端產(chǎn)品，而低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，節(jié)約能源，并在這些設(shè)備中最大化電池的運行時間。

MOSFET可在1.5V和1.2V電壓下導(dǎo)通，能夠搭配手持設(shè)備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動和更低的總線電壓，從而省去了電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。在手持設(shè)備中電池電量較低，并且要求消耗盡可能少的能量時，這種MOSFET尤其有用。

SiB437EDKT在4.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有34mΩ、63mΩ、84mΩ和180mΩ的超低導(dǎo)通電阻。同樣采用1.6mmx1.6mm占位、高度小于0.8mm的最接近的P溝道器件在4.5V、1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻為37mΩ、65mΩ和100mΩ，這些數(shù)值分別比SiB437EDKT高8%、5%和16%。

SiB437EDKT經(jīng)過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護為2000V。

新款SiB437EDKT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。