Vishay Siliconix 推出 N溝道TrenchFET®功率MOSFET

時(shí)間：2012-06-26 02:22:51

關(guān)鍵字：功率MOSFET Vishay TRENCHFET SILICONIX

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[導(dǎo)讀]21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。新的Si

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。

新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、10.5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻數(shù)值比前一代方案最多低18%，比2mm x 2mm占位面積的最接近的N溝道器件最多低64%。

SiA436DJ可用于智能手機(jī)、平板電腦，以及移動(dòng)計(jì)算應(yīng)用等便攜式電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換。器件的超小尺寸PowerPAK SC-70封裝可在這些應(yīng)用中節(jié)省PCB空間，同時(shí)其低導(dǎo)通電阻可以減少傳導(dǎo)損耗，達(dá)到降低功耗、提高效率的目的。

MOSFET在1.2V電壓下就可導(dǎo)通，使MOSFET可以采用手持設(shè)備中常見的低壓電源軌進(jìn)行工作，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，使電池在兩次充電周期之間的工作時(shí)間更長(zhǎng)。SiA436DJ的低導(dǎo)通電阻還可以減低負(fù)載開關(guān)上的電壓降，防止出現(xiàn)討厭的欠壓鎖定現(xiàn)象。

SiA436DJ通過了100%的Rg測(cè)試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令。

新的SiA436DJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周。