開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件
時(shí)間：2012-09-10 10:09:55
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[導(dǎo)讀]關(guān)鍵字：開關(guān)電源 轉(zhuǎn)換器 碳化硅(SiC)進(jìn)入21世紀(jì)，開關(guān)電源技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努力協(xié)作，沿著下述方向，開
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 轉(zhuǎn)換器 碳化硅(SiC)
進(jìn)入21世紀(jì)，開關(guān)電源技術(shù)將會(huì)有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努力協(xié)作，沿著下述方向，開發(fā)與開關(guān)電源相關(guān)的產(chǎn)品和技術(shù)。
碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點(diǎn)是禁帶寬，工作溫度高(可達(dá)600℃)、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、漏電流極小、DNI結(jié)耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率的半導(dǎo)體開關(guān)器件，如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。
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