恩智浦推出NextPowerS3——可提供帶軟恢復(fù)功能的超快速開關(guān)性能的MOSFET

業(yè)界首款集成肖特基且具有低漏電流性能的MOSFET

21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺,使用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技術(shù)。NextPowerS3是業(yè)界首款能夠提供高頻率、低峰值性能的MOSFET，通常只有集成肖特基或類似肖特基二極管的MOSFET才具有這種性能，而且這種MOSFET沒有令人煩惱的高漏電流問題。NextPowerS3 30V的產(chǎn)品適合于各種應(yīng)用，包括用于通信和云端計算機所需要的高效率電源、高性能便攜式計算機電源和電池供電式電機控制，如可充電電動工具。

最近幾年的趨勢是研發(fā)高頻應(yīng)用的MOSFET，努力降低開關(guān)損耗并提高開關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)計的效率。然而，更高的開關(guān)速度會產(chǎn)生更高開關(guān)節(jié)點電壓尖峰、耦合柵極毛刺等問題，并且會帶來電壓擊穿、影響EMI和可靠性等潛在問題。

一種廣泛使用的解決方案是將肖特基二極管和類似肖特基二極管集成在MOSFET結(jié)構(gòu)中。然而，肖特基二極管產(chǎn)生高漏電流(特別是在高溫環(huán)境下)，會影響效率、電池壽命和制造過程中的次品鑒別能力，但是恩智浦的NextPowerS3系列產(chǎn)品結(jié)合帶軟恢復(fù)功能的超快速開關(guān)性能，解決了所有這些問題，可提供更高的效率和更高的功率密度，同時能將電壓尖峰保持在可控范圍內(nèi)，并將漏電流限制在1 µA以內(nèi)。

恩智浦半導(dǎo)體MOSFET營銷與業(yè)務(wù)開發(fā)總經(jīng)理Chris Boyce表示：“大家都知道肖特基二極管漏電流很嚴重，特別是在高溫環(huán)境下。雖然通過設(shè)計有可能將漏電流控制在1 mA或2 mA左右，但最大的問題是因此帶來質(zhì)量的問題。因此，我們將漏電流作為推動零缺陷制造的重要指標(biāo)。從一堆固有高漏電流的器件中找出缺陷器件就像在警報聲中聽清耳語一樣困難。NextPowerS3的亞微安漏電流意味著恩智浦的產(chǎn)品不存在這種問題。”

功能

· 通過超低Qg、Qgd和Coss獲得較高系統(tǒng)效率

· 降低開關(guān)節(jié)點電壓尖峰;低EMI

· 特有的SchottkyPlus技術(shù);集成式肖特基性能且無高漏電流

· 無焊線，無膠合;結(jié)溫為175°C