意法半導(dǎo)體將兩項(xiàng)新的封裝技術(shù)應(yīng)用到三個(gè)先進(jìn)的高壓功率MOSFET系列產(chǎn)品

時(shí)間：2014-02-17 10:14:42

關(guān)鍵字：封裝技術(shù) 意法半導(dǎo)體高壓功率MOSFET

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[導(dǎo)讀]21ic訊意法半導(dǎo)體將兩項(xiàng)新的封裝技術(shù)應(yīng)用到三個(gè)先進(jìn)的高壓功率MOSFET系列產(chǎn)品，讓充電器、太陽(yáng)能微逆變器和計(jì)算機(jī)電源等注重節(jié)能的設(shè)備變得更緊湊、更穩(wěn)健、更可靠。意法半

21ic訊 意法半導(dǎo)體將兩項(xiàng)新的封裝技術(shù)應(yīng)用到三個(gè)先進(jìn)的高壓功率MOSFET系列產(chǎn)品，讓充電器、太陽(yáng)能微逆變器和計(jì)算機(jī)電源等注重節(jié)能的設(shè)備變得更緊湊、更穩(wěn)健、更可靠。

封裝技術(shù)開發(fā)更小、更耐用的650V和800V MOSFET" />

意法半導(dǎo)體先進(jìn)的 PowerFLAT™ 5x6 HV和PowerFLAT 5x6 VHV封裝具有高達(dá)650V和800V電壓運(yùn)行所要求的隔離通道長(zhǎng)度和間隙，而封裝面積與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的100V PowerFLAT 5x6封裝的5mm x 6mm相同，比主流的DPAK封裝縮小 52%。此外，這兩個(gè)先進(jìn)封裝僅1mm厚，配備一個(gè)裸露的大面積的金屬漏極焊盤，通過印刷電路板上的散熱通孔最大限度地排熱。

這些功能同時(shí)提高了管子的高壓輸出能力、穩(wěn)健性、可靠性和系統(tǒng)功率密度。

意法半導(dǎo)體目前正在推出三款采用PowerFLAT 5x6 HV封裝的650V MDmesh™ V MOSFET產(chǎn)品，還推出四款額定電壓極高的采用 PowerFLAT 5x6 VHV 800V封裝的SuperMESH 5 MOSFET。

此外，意法半導(dǎo)體已經(jīng)開始提供兩款采用PowerFLAT 5x6 HV 封裝的600 V 快速開關(guān)型低Qg 的MDmesh II Plus MOSFET測(cè)試樣片。