Diodes推出世界最小60V功率MOSFET 提升功率密度

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出導通電阻小于100mΩ的全球最小60V NMOS ─ DMN6070SFCL。新器件的占位面積為1.6mm x 1.6mm，高度則是一般的0.5mm，并采用了DFN1616封裝，有助于在手機、超薄液晶電視及掌上游戲機等受空間限制的產(chǎn)品內實現(xiàn)更高的功率密度。

功率MOSFET 提升功率密度" />

全新MOSFET的導通電阻在VGS達到4V時低至74 mΩ，可盡量減少導通損耗及提高整體功率效率。DMN6070SFCL支持2A的連續(xù)電流以及10A的脈沖電流，有效應付直流-直流轉換尖峰。

這款微型MOSFET是Diodes 60V N-和P-通道器件系列之一，旨在滿足負載開關、直流-直流轉換及信號開關占空比的要求。該系列還提供SO8、SOT23、SOT223和TO252四款較大的封裝選擇，適合消費性電子產(chǎn)品、工業(yè)控制及采暖、通風與空調設備等多種應用。