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[導(dǎo)讀]貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷Panasonic氮化鎵(GaN)解決方案。為滿足現(xiàn)代電源的效率和功率密度設(shè)計(jì)需要,設(shè)計(jì)工程師一直在尋找GaN技術(shù)等可替代傳統(tǒng)MOS技術(shù)

貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷Panasonic氮化鎵(GaN)解決方案。為滿足現(xiàn)代電源的效率和功率密度設(shè)計(jì)需要,設(shè)計(jì)工程師一直在尋找GaN技術(shù)等可替代傳統(tǒng)MOS技術(shù)的方案,以節(jié)省能源、降低各種工業(yè)和消費(fèi)電力交換系統(tǒng)的尺寸。Panasonic的GaN 解決方案包括功率晶體管、柵極驅(qū)動器和評估板,可降低各種電源應(yīng)用的能量損耗,例如電源、太陽能逆變器、發(fā)動機(jī)驅(qū)動器、電動汽車 (EV) 等。

Mouser現(xiàn)在備貨的氮化鎵(GaN)解決方案在具有高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻的硅襯底上使用復(fù)合材料GaN,相較于傳統(tǒng)硅器件開關(guān)速度更高,更易微型化。PGA26E19BA GaN表面貼裝 (SMD) 功率晶體管是一個(gè)帶有600V擊穿電壓的增強(qiáng)型常關(guān)電源開關(guān)。即將上市(Mouser備貨)的 PGA26C09DV GaN功率晶體管采用TO-220封裝,擊穿電壓同樣為600V,可防止電流崩塌。兩款器件都具有零恢復(fù)損耗,并采用松下專有的柵極注入晶體管(GIT)技術(shù),可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻。GIT技術(shù)亦可防止因高電壓下導(dǎo)通電阻持續(xù)增加而引起的電流崩塌, 確保器件安全工作。

Mouser同時(shí)備貨的Panasonic AN34092B高速柵極驅(qū)動器僅需最少的外部元器件即可驅(qū)動SMD或TO-220 GaN 晶體管。該單通道高速柵極驅(qū)動集成恒流源和負(fù)電壓電路,支持可調(diào)源電流(2.5 mA 至25 mA)和外部電阻。AN34092B柵極驅(qū)動器提供欠壓鎖定和熱保護(hù)功能,內(nèi)含VR引腳電壓和負(fù)電壓監(jiān)控電路。

PGA26E19BA SMD晶體管和AN34092B柵極驅(qū)動器由Mouser備貨的PGA26E19BA-SWEVB006斬波評估板提供支持,該評估板可用于測量板載PGA26E19BA 晶體管的開關(guān)特性(AN34092B柵極驅(qū)動器可增強(qiáng)其性能)。PGA26C09DV TO-220晶體管的的開關(guān)特性可通過 PGA26C09DV-SWEVB001評估板進(jìn)行測量。

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