安森美半導體推出基于第三代超場截止技術(shù)的1200 V器件

21ic訊 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ON)，推出新系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，采用公司專有的超場截止溝槽技術(shù)。NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG的設(shè)計旨在提升工作性能水平，以符合現(xiàn)代開關(guān)應(yīng)用的嚴格要求。這些1200伏特(V)器件能實現(xiàn)領(lǐng)先行業(yè)的總開關(guān)損耗(Ets)特點;顯著提升的性能部分歸因于極寬的高度觸發(fā)的場截止層及優(yōu)化的共同封裝二極管。

NGTB40N120FL3WG的Ets為2.7毫焦耳(mJ)，而NGTB25N120FL3WG的Ets為1.7 mJ。兩款器件在各自額定電流下的VCEsat均為1.7 V。NGTB40N120L3WG經(jīng)優(yōu)化提供低導通損耗，額定電流下的VCEsat為1.55 V，Ets為3 mJ。新的超場截止產(chǎn)品與一個具有軟關(guān)斷特性的快速恢復(fù)二極管共同封裝在一起，仍提供最小的反向恢復(fù)損耗。NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120FL3WG非常適用于不間斷電源(UPS)和太陽能逆變器，而NGTB40N120L3WG主要針對電機驅(qū)動應(yīng)用。

安森美半導體功率分立器件分部高級總監(jiān)兼總經(jīng)理Asif Jakwani說：“我們把新的超場截止IGBT配以優(yōu)化的快速恢復(fù)二極管達到最佳狀態(tài)，完美地平衡了VCEsat和Ets，從而降低開關(guān)損耗，并增強硬開關(guān)應(yīng)用在寬范圍開關(guān)頻率的電源能效。同時它還提供工程師期望從IGBT獲得的強固工作和高性價比。”

封裝和定價

NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG都采用符合RoHS的TO-247封裝，每10,000片批量的單價分別為2.02美元、1.76美元和2.12美元。