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[導(dǎo)讀]亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 IEEE 802.3bt 受電設(shè)備 (PD) 接口控制器 LT4294,該器件適用于需

亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 IEEE 802.3bt 受電設(shè)備 (PD) 接口控制器 LT4294,該器件適用于需要高達(dá) 71W 傳送功率的應(yīng)用。IEEE 802.3bt 這種新的以太網(wǎng)供電 (PoE) 標(biāo)準(zhǔn)提高了功率預(yù)算,以支持新的應(yīng)用和功能,同時支持 10Gb 以太網(wǎng) (10GBASE-T),并保持與較舊的 IEEE 802.3af 和 802.3at PoE 設(shè)備的向后兼容性。當(dāng)與 LT4321 PoE 理想二極管橋接控制器結(jié)合使用時,符合 IEEE 802.3bt 草案 2.3 要求的 LT4294 PD 控制器從 RJ-45 連接器向熱插拔輸出提供高達(dá) 99% 的可用功率,同時支持新推出的功能,包括額外的 PD 類 (5、6、7 和 8)、PD 型 (Type 3 和 Type 4) 以及 5 事件分級。

LT4294 是一款單特征 802.3bt PD 控制器,可與任何高效率開關(guān)穩(wěn)壓器結(jié)合使用。單特征 PD 無需第二個 PD 控制器,從而降低了系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。無論使用了隔離式還是非隔離式開關(guān),開關(guān)的靈活性都可支持使用現(xiàn)成有售和專有電源解決方案。與集成了功率 MOSFET 的傳統(tǒng) PD 控制器不同,LT4294 控制一個外部 MOSFET,以大幅度地減少 PD 產(chǎn)生的總熱量,并最大限度提高電源效率,這在 802.3bt 的較高功率水平時尤其重要。外部 MOSFET 架構(gòu)允許用戶選擇 MOSFET 的尺寸以適合應(yīng)用需求。基于 LT4294 的標(biāo)準(zhǔn)解決方案通常選擇低 RDS(ON) 30mΩ MOSFET。

LT4294 可提供工業(yè)和汽車溫度級版本,分別支持 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 的工作溫度范圍。LT4294 的千片批購價為每片 1.95 美元,已生產(chǎn)供貨。LT4294 具集成式開關(guān),對 LT4295 802.3bt PD 接口控制器起到了補(bǔ)充作用,這兩款器件都提供了從凌力爾特現(xiàn)有 PoE+ / LTPoE++® PD 控制器 (包括 LT4276 和 LT4275 控制器) 升級的途徑。

性能概要: LT4294

• IEEE 802.3af/at/bt (草案 2.3) 受電 (PD) 控制器

• 外部熱插拔 N 溝道 MOSFET 實現(xiàn)最低功耗和最高系統(tǒng)效率

• 支持高達(dá) 71W 的 PD

• 5 事件分級檢測

• 卓越的浪涌保護(hù) (100V 絕對最大值)

• 很寬的結(jié)溫范圍 (–40°C 至 125°C)

• 支持低至 9V 的可配置輔助電源

• 采用 10 引線 MSOP 和 3mm x 3mm DFN 封裝

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