Vishay單片SPDT模擬開關(guān) 采用超小尺寸的μDFN6封裝

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的單片SPDT模擬開關(guān)，并在業(yè)內(nèi)首次采用了超小尺寸的新型μDFN6封裝。Vishay Siliconix DG3257非常適合用在便攜式消費產(chǎn)品和醫(yī)療設(shè)備中切換模擬和數(shù)字信號，在4.2V下的電阻為5Ω，并且提高了帶寬，減少了寄生電容，還有掉電保護(hù)功能。

今天推出的這顆器件尺寸為1mm x 1mm x 0.35mm，比mQFN6封裝小29%，厚度小36%。DG3257的小尺寸使其在智能手機(jī)、平板電腦和電子書，智能手表和健身計步器等可穿戴設(shè)備，便攜式醫(yī)療儀器，攝像頭和音響，物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，計算機(jī)和外設(shè)，以及數(shù)據(jù)存儲設(shè)備中能有效節(jié)省寶貴的PCB空間。

相比前一代器件在300MHz下的-3dB帶寬，DG3257將帶寬提高到超過700MHz。這顆5Ω SPDT開關(guān)響應(yīng)時間很快，開通時間為17ns，超低延遲為100ps。開關(guān)在240MHz下的串?dāng)_為32dB，比競爭產(chǎn)品低10dB，隔離為-33dB。器件采用亞微米的CMOS工藝制造，寄生電容CD(ON)為9pF，降低了50%，CS(OFF)為3pF。

DG3257可處理雙向的信號流，用一節(jié)鋰離子電池供電就能工作。DG3257的工作電壓為1.65V～5.5V，在關(guān)機(jī)狀態(tài)下的漏電流小于1μA。當(dāng)拔掉外部供電電源時，這個功能可以避免過從電池消耗過大的電流。器件的邏輯閾值為1.4V，保證與低壓TTL/CMOS器件兼容。當(dāng)與低壓MCU接口時，開關(guān)的最大耗電僅為1.5μA，比競爭器件低90%。

器件符合RoHS，可承受超過6kV的ESD(人體模型)，閂鎖電流為300mA，符合per JESD78的要求。