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[導(dǎo)讀]Littelfuse, Inc.,作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),今日宣布推出了首個(gè)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列,成為該公司不斷擴(kuò)充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽(yù)的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.,向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅(jiān)定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80mΩ),是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計(jì)、開發(fā)和生產(chǎn)的碳化硅MOSFET。 該裝置針對(duì)

Littelfuse, Inc.,作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),今日宣布推出了首個(gè)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品系列,成為該公司不斷擴(kuò)充的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽(yù)的碳化硅技術(shù)開發(fā)公司Monolith Semiconductor Inc.,向成為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)再邁出堅(jiān)定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V額定功率和超低導(dǎo)通電阻(80mΩ),是雙方聯(lián)手推出的首款由內(nèi)部設(shè)計(jì)、開發(fā)和生產(chǎn)的碳化硅MOSFET。 該裝置針對(duì)高頻切換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,兼具超低切換損耗與超高切換速度,令傳統(tǒng)功率晶體管望塵莫及。

 

1200V碳化硅MOSFET的圖片

相比具有相同額定值的硅器件,碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品的能效更高,系統(tǒng)尺寸/重量得到縮減,電力電子系統(tǒng)中的功率密度也有所增加。 即便在高溫(150°C)下運(yùn)行,也能發(fā)揮一流的耐用性與卓越性能。

新型碳化硅MOSFET產(chǎn)品的典型應(yīng)用包括電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng),例如: 太陽能逆變器、開關(guān)模式電源設(shè)備、UPS系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高壓DC/DC逆變器、電池充電器和感應(yīng)加熱。

“全新碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品是一個(gè)重要里程碑,標(biāo)志著我們向成為功率半導(dǎo)體領(lǐng)先組件供應(yīng)商又邁進(jìn)了一步。”Littelfuse電子業(yè)務(wù)部功率半導(dǎo)體產(chǎn)品營(yíng)銷經(jīng)理Michael Ketterer表示, “我們的碳化硅MOSFET應(yīng)用支持網(wǎng)絡(luò)隨時(shí)幫助客戶提升現(xiàn)有設(shè)計(jì)的性能,并協(xié)助客戶開發(fā)新的電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品。”

LSIC1MO120E0080系列碳化硅MOSFET具有以下關(guān)鍵優(yōu)勢(shì):

· 超高切換速度可提高效率和電源密度。

· 切換損耗降低,有助提高切換頻率。

· 更高的工作溫度可確保器件在廣泛的高溫應(yīng)用中更加可靠耐用。

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