高功率密度系統(tǒng)需要大電流轉(zhuǎn)換器

背景信息

2016 年，不斷擴(kuò)大的大電流、低壓數(shù)字 IC 市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到了 92 億美元 [數(shù)據(jù)來(lái)源：Intense Research 公司]。這類(lèi)數(shù)字 IC 包括微控制器和微處理器 (µC 和 µP)、可編程邏輯器件 (PLD)、數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP)、專(zhuān)用集成電路 (ASIC)、和圖形處理器單元 (GPU)。此外，我們來(lái)看一下對(duì)這個(gè)市場(chǎng)中一個(gè)較大的細(xì)分市場(chǎng) —— 現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA) IC 的預(yù)期，2014 年，這個(gè)細(xì)分市場(chǎng)的規(guī)模為 39.2 億美元，預(yù)計(jì)到 2022 年將達(dá)到 72.3 億美元，從 2016 年到 2022 年，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 7.41% [數(shù)據(jù)來(lái)源：marketsandmarkets.com]。高功率密度數(shù)字 IC 幾乎已經(jīng)進(jìn)入了所有嵌入式系統(tǒng)。這類(lèi)系統(tǒng)包括但不限于：工業(yè)、通信、電信、服務(wù)器、醫(yī)療、游戲、消費(fèi)類(lèi)音頻 / 視頻和汽車(chē)系統(tǒng)。在這些市場(chǎng)中，F(xiàn)PGA 正在使先進(jìn)應(yīng)用變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，例如，高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS) 和防撞系統(tǒng)等消除人為差錯(cuò)的汽車(chē)應(yīng)用。此外，政府要求的安全功能，例如防鎖剎車(chē)系統(tǒng)、穩(wěn)定性控制和電氣控制的獨(dú)立懸架系統(tǒng)都必須使用 FPGA。在消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域，對(duì)物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 和機(jī)器至機(jī)器 (M2M) 通信的需求以及數(shù)據(jù)與服務(wù)器中心的增長(zhǎng)，也是驅(qū)動(dòng) FPGA 市場(chǎng)增長(zhǎng)的一些因素，需要存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)和進(jìn)行云計(jì)算是數(shù)據(jù)和服務(wù)器中心增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)因素。

這些基于高功率密度數(shù)字 IC 的系統(tǒng)對(duì)電源有一套獨(dú)特的要求。就目前這一代 FPGA 和 ASIC處理器而言，大電流、低電壓和快速瞬態(tài)響應(yīng)相結(jié)合，對(duì)于給這些器件供電的電源提出了越來(lái)越嚴(yán)格的要求。這些數(shù)字 IC 很強(qiáng)大，但是從電源角度來(lái)看卻是不穩(wěn)定的。傳統(tǒng)上，用來(lái)給這類(lèi)器件供電的一直是具單獨(dú)大功率 MOSFET 的高效率開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器，但是這類(lèi)控制器有潛在的噪聲干擾、較慢的瞬態(tài)響應(yīng)和布局限制問(wèn)題。因此，近幾年來(lái)，最大限度減少熱量的低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 一直被作為替代解決方案使用，但是這類(lèi)穩(wěn)壓器也不是沒(méi)有其自身的一些限制。不過(guò)，由于這一領(lǐng)域最新出現(xiàn)的產(chǎn)品創(chuàng)新，發(fā)展趨勢(shì)正在發(fā)生變化。較新型的大功率單片開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器不再需要進(jìn)行性能折衷，并正在迅速得到采用。

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器與充電泵及 LDO

低電壓、大電流降壓型轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)可以通過(guò)各種方法和各種設(shè)計(jì)折衷來(lái)實(shí)現(xiàn)。就剛起步的人而言，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器以高效率運(yùn)行，在很寬的電壓范圍內(nèi)提供大電流，但是需要諸如電感器和電容器 (以及在控制器情況下的 FET) 等外部組件才能運(yùn)行。無(wú)電感器充電泵 (或開(kāi)關(guān)電容器電壓轉(zhuǎn)換器) 也可用來(lái)實(shí)現(xiàn)較低電壓的轉(zhuǎn)換，但是輸出電流能力受限，瞬態(tài)性能不佳，且與現(xiàn)行線(xiàn)性穩(wěn)壓器相比，需要更多外部組件。因此，在數(shù)字 IC 電源應(yīng)用中，不常見(jiàn)到充電泵。相反，線(xiàn)性穩(wěn)壓器，尤其是 LDO，就非常簡(jiǎn)單，因?yàn)檫@類(lèi)穩(wěn)壓器僅需要兩個(gè)外部電容器就可運(yùn)行。然而，線(xiàn)性穩(wěn)壓器的功率也許受限，這取決于該 IC 兩端的輸入至輸出電壓差大小和負(fù)載需要多大電流、以及封裝的熱阻特性。這就對(duì)線(xiàn)性穩(wěn)壓器進(jìn)入數(shù)字 IC 供電領(lǐng)域造成了限制。

大電流單片降壓型轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

晶片制造技術(shù)線(xiàn)寬不斷變窄，嚴(yán)格遵循了摩爾定律 (最初構(gòu)想于 1965 年)，因此要求數(shù)字 IC 以更低電壓運(yùn)行。幾何尺寸更小的工藝允許在最終產(chǎn)品中集成更多需要大量功率的功能。例如，現(xiàn)代計(jì)算機(jī)服務(wù)器和通信路由系統(tǒng)需要更大的帶寬，以處理更多計(jì)算數(shù)據(jù)和互聯(lián)網(wǎng)流量。汽車(chē)有更多車(chē)載電子產(chǎn)品，以提供娛樂(lè)、導(dǎo)航、自助駕駛功能，甚至引擎控制。結(jié)果，系統(tǒng)電流消耗和所需的總功率增加了。因此，需要最先進(jìn)的封裝和創(chuàng)新性?xún)?nèi)部電源級(jí)設(shè)計(jì)，以將電源 IC 中的熱量散出來(lái)，同時(shí)提供前所未有的大功率。

較大的電源抑制比 (PSRR) 和較低的輸出電壓噪聲或紋波需求是另外兩項(xiàng)需要考慮的挑戰(zhàn)。具較大電源抑制比的器件能夠更容易地在輸入端濾除和抑制噪聲，從而產(chǎn)生干凈和穩(wěn)定的輸出。此外，在很寬的帶寬內(nèi)具較低輸出電壓噪聲或較低輸出紋波的器件有利于給如今的新式低噪聲軌供電，在這類(lèi)軌中，噪聲靈敏度是設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮的主要因素。隨著對(duì)高端 FPGA 速度要求的提高，電源噪聲容限在不斷降低，以最大限度減少誤碼。就這類(lèi)高速 PLD 而言，這類(lèi)噪聲引起的數(shù)字故障極大地降低了有效數(shù)據(jù)吞吐速率。在大電流時(shí)，輸入電源噪聲顯然是一種重要但要求苛刻的性能規(guī)格。

較高的收發(fā)器速率 (例如在 FPGA) 決定了較大的電流，因?yàn)閹缀纬叽绾苄〉碾娐吩谇袚Q時(shí)功耗較大。這類(lèi) IC 速度很快，可能在幾十至數(shù)百納秒內(nèi)就將負(fù)載電流從接近零增大到幾安培，因此需要具超快瞬態(tài)響應(yīng)的穩(wěn)壓器。

隨著為電源穩(wěn)壓器保留的電路板面積越來(lái)越小，大家也日益熟知，具較高開(kāi)關(guān)頻率的單片開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器減小了外部組件尺寸，因此也就減小了解決方案的總體尺寸，伴隨而來(lái)的折衷是，由于較高頻率時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗，效率有某種微小損失。不過(guò)，新一代單片開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器提供一些獨(dú)特的功能，甚至在較高頻率時(shí)也能顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。也就是說(shuō)，集成的高壓側(cè)和低壓側(cè)開(kāi)關(guān)同步運(yùn)行允許更好地控制其柵極電壓，這極大地縮短了死區(qū)時(shí)間，因此能夠以更高效率運(yùn)行。

大電流單片開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的最大挑戰(zhàn)之一是其散熱能力，其熱量來(lái)自 IC 中產(chǎn)生的大量功耗。通過(guò)使用耐熱增強(qiáng)型球珊陣列 (BGA) 封裝，可以應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，在這種封裝中，大部分焊錫球都專(zhuān)門(mén)用于電源引腳 (VIN、SW、GND)，以便熱量可以非常容易地從 IC 傳送到電路板中。電路板上連接到這些電源引腳的較大銅平面允許熱量更加均勻地散出。

新的大電流降壓型穩(wěn)壓器

顯然，解決本文提到的這些問(wèn)題之降壓型轉(zhuǎn)換器解決方案需要具有以下屬性：

· 較高的開(kāi)關(guān)頻率 — 減小外部組件尺寸

· 死區(qū)時(shí)間為零的設(shè)計(jì) — 提高效率

· 單片 — 內(nèi)置功率器件以實(shí)現(xiàn)尺寸更小的解決方案

· 同步運(yùn)行 — 效率更高和功耗更低

· 簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì) — 需要的外部組件最少

· 非常低的輸出紋波

· 快速瞬態(tài)響應(yīng)

· 在寬輸入 / 輸出電壓范圍內(nèi)運(yùn)行

· 能夠提供很大的輸出電流

· 出色的熱性能

· 緊湊的占板面積

為了滿(mǎn)足這些特定需求，凌力爾特推出了 LTC71xx 系列單片大電流降壓型穩(wěn)壓器。這個(gè)系列的最新成員是 LTC7150S，這是一款 20V/20A 單片同步降壓型轉(zhuǎn)換器，具差分 VOUT 遠(yuǎn)端檢測(cè)。該器件獨(dú)特的可鎖相受控接通時(shí)間、恒定頻率電流模式架構(gòu)減輕了補(bǔ)償負(fù)擔(dān)，非常適合以高頻運(yùn)行同時(shí)需要快速瞬態(tài)響應(yīng)的高降壓比應(yīng)用。LTC7150S 運(yùn)用 Silent Switcher® 2 技術(shù)，包括集成的旁路電容器，以在高頻時(shí)提供具卓越 EMI 性能的高效率解決方案。多達(dá) 12 個(gè)相位的多相運(yùn)行允許直接并聯(lián)多個(gè)器件，以用最小的輸入和輸出電容提供更大的電流。VOUT 遠(yuǎn)端檢測(cè)確保負(fù)載端電壓調(diào)節(jié)是準(zhǔn)確的，不受負(fù)載電流或電路板布局的影響。其 3.1V 至 20V 的寬輸入范圍支持多種應(yīng)用，包括大多數(shù)中間總線(xiàn)電壓，而且與很多電池類(lèi)型兼容。集成的 N 溝道 MOSFET 在 0.6V 至 VIN 輸出電壓范圍內(nèi)以最小的熱降額提供高達(dá) 20A 的連續(xù)負(fù)載電流，非常適合負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用，例如大電流 / 低電壓 DSP / FPGA / ASIC 參考設(shè)計(jì)。其他應(yīng)用包括電信 / 數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)、分布式電源架構(gòu)和一般的高功率密度系統(tǒng)。圖 1 顯示了一個(gè)典型的應(yīng)用原理圖，展示了設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)便性。

圖 1：LTC7150S 的典型應(yīng)用原理圖

LTC7150S 非常短的 25ns 最短接通時(shí)間允許在高頻運(yùn)行時(shí)實(shí)現(xiàn)高降壓比電源。工作頻率在 400kHz 至 3MHz 范圍內(nèi)是用戶(hù)可選的，并可同步至一個(gè)外部時(shí)鐘。在 –40°C 至 125°C 工作結(jié)溫范圍內(nèi)，LTC7150S 的總差分輸出電壓準(zhǔn)確度為 ±1%，其他特點(diǎn)包括高速差分遠(yuǎn)端檢測(cè)放大器、PHMODE 相位選擇器引腳、準(zhǔn)確的 1.2V RUN 引腳門(mén)限、VIN 過(guò)壓保護(hù)、電源良好標(biāo)記和可編程軟啟動(dòng) / 跟蹤。

最后，LTC7150S 采用耐熱增強(qiáng)型 42 引線(xiàn) 6mm x 5mm x 1.3mm BGA 封裝，提供 RoHS 無(wú)鉛和有鉛 SnPb (63/37) 涂層。E 級(jí)和 I 級(jí)版本規(guī)定在 –40°C 至 125°C 結(jié)溫范圍內(nèi)運(yùn)行。

高效率、更低 EMI 和快速瞬態(tài)響應(yīng)

器件型號(hào) LTC7150S 中的“S”指的是第二代 Silent Switcher 技術(shù)。該 IC 集成了用于 VIN 和BOOST 的陶瓷電容器，以保持所有快速 AC 電流環(huán)路都很小，因此改善了 EMI 性能。此外，該器件允許更快速的開(kāi)關(guān)切換邊沿，這在高開(kāi)關(guān)頻率時(shí)極大地提高了效率。

LTC7150S 獨(dú)特的受控接通時(shí)間架構(gòu)允許該 IC 快速響應(yīng)瞬態(tài)階躍。這是在瞬態(tài)階躍時(shí)完成的 —— 開(kāi)關(guān)頻率自帶加速能力，這就允許電感器電流更好地追隨誤差放大器 (ITH) 輸出的意愿。這允許更積極地設(shè)定 ITH 補(bǔ)償，從而可增大環(huán)路總帶寬。

LTC7150S 允許在高頻時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率，這是因?yàn)樵撈骷幸粋€(gè)關(guān)鍵特點(diǎn)，即顯著縮短了死區(qū)時(shí)間。該 IC 內(nèi)部的伺服環(huán)路在 SW 上升沿之前將死區(qū)時(shí)間鎖定為 <1ns。死區(qū)時(shí)間縮短最大限度減少/ 消除了對(duì)底部開(kāi)關(guān)體二極管導(dǎo)通的需求。在頂部開(kāi)關(guān)接通時(shí)，這從根本上消除了底部開(kāi)關(guān)體二極管反向恢復(fù)的影響。因這個(gè)特點(diǎn)而使功耗相當(dāng)顯著地降低了。

更低的紋波電流可降低電感器的磁芯損耗、輸出電容器的 ESR 損耗和輸出電壓紋波。在低頻、小紋波電流時(shí)可實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。不過(guò)，實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)需要一個(gè)大型電感器。在組件尺寸、效率和工作頻率之間需要折衷。圖 2 中的曲線(xiàn)顯示了 LTC7150S 的高效率性能。

這種獨(dú)特的恒定頻率 / 受控接通時(shí)間架構(gòu)非常適合以高頻運(yùn)行的高降壓比應(yīng)用，同時(shí)需要快速瞬態(tài)響應(yīng)。圖 3 顯示了 LTC7150S 的瞬態(tài)響應(yīng)性能。

圖 2：LTC7150S 的效率性能

圖 3：LTC7150S 的瞬態(tài)響應(yīng)性能

超低 DCR 電流檢測(cè)應(yīng)用

LTC7130 是一款恒定頻率、峰值電流模式控制、同步降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，具溫度補(bǔ)償?shù)某?DCR 電流檢測(cè)和時(shí)鐘同步功能。該器件獨(dú)特的架構(gòu)減輕了補(bǔ)償負(fù)擔(dān)，能夠直接并聯(lián)以實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的輸出電流能力。LTC7130 還提高了電流檢測(cè)信號(hào)的信噪比，從而允許使用 DC 電阻非常低的功率電感器，以在大電流應(yīng)用中最大限度提高效率。這個(gè)特點(diǎn)還減少了低 DCR 應(yīng)用中常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)抖動(dòng)，并提高了電流限制的準(zhǔn)確度。LTC7130 的 4.5V 至 20V 輸入范圍支持多種應(yīng)用，包括大多數(shù)中間總線(xiàn)電壓，并與很多電池類(lèi)型兼容。集成的 N 溝道 MOSFET 在 0.6V 至 5.5V 的輸出電壓范圍內(nèi)可提供高達(dá) 20A 的連續(xù)負(fù)載電流，從而使該器件非常適合負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用，例如大電流 / 低壓 DSP / FPGA / ASIC 參考設(shè)計(jì)。其他應(yīng)用包括電信 / 數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)、分布式電源架構(gòu)和一般的高功率密度系統(tǒng)。圖 4 顯示了一個(gè)典型的應(yīng)用電路。

圖 4：LTC7130 的典型應(yīng)用電路

表 1 對(duì) LTC7150S 和 LTC7130 的特點(diǎn)進(jìn)行了比較。

表 1：比較 LTC7150S 和 LTC7130 的關(guān)鍵性能規(guī)格

結(jié)論

FPGA、微處理器等高性能數(shù)字 IC 的持續(xù)發(fā)展趨勢(shì)是，電流越來(lái)越大，相應(yīng)地工作電壓越來(lái)越低，這是通過(guò)線(xiàn)寬日益變窄的晶片制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。然而伴隨這些進(jìn)步而來(lái)的是其他應(yīng)用需求，在電源管理領(lǐng)域，這類(lèi)需求包括需要快速瞬態(tài)響應(yīng)、低噪聲 / 低紋波、以及高效率運(yùn)行以最大限度減少熱量。傳統(tǒng)上，給這些數(shù)字 IC 供電一直用 LDO 或基于電感器的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器控制器和外置功率器件完成。不過(guò)，凌力爾特公司提供了采用高熱效率 BGA 封裝的新一代單片、大電流降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，以解決這些問(wèn)題。這些產(chǎn)品包括 LTC7150S 和 LTC7130，這兩款器件都具有獨(dú)特的功能，以解決多種應(yīng)用為數(shù)字 IC 供電的問(wèn)題。