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[導(dǎo)讀]致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC) 宣布提供采用碳化硅(SiC) 二極管和MOSFET器件的全新可擴(kuò)展30 kW三相Vienna功率因數(shù)校正(PFC)拓?fù)鋮⒖荚O(shè)計(jì)。這款可擴(kuò)展的用戶友好解決方案由美高森美與北卡羅萊納州立大學(xué)(NCSU)合作開發(fā),非常適合快速電動(dòng)車(EV)充電和其它大功率汽車和工業(yè)應(yīng)用;此外,它亦可通過美高森美功能強(qiáng)大的SiC MOSFET和二極管,為客戶提供更高

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號:MSCC) 宣布提供采用碳化硅(SiC) 二極管和MOSFET器件的全新可擴(kuò)展30 kW三相Vienna功率因數(shù)校正(PFC)拓?fù)鋮⒖荚O(shè)計(jì)。這款可擴(kuò)展的用戶友好解決方案由美高森美與北卡羅萊納州立大學(xué)(NCSU)合作開發(fā),非常適合快速電動(dòng)車(EV)充電和其它大功率汽車和工業(yè)應(yīng)用;此外,它亦可通過美高森美功能強(qiáng)大的SiC MOSFET和二極管,為客戶提供更高效的開關(guān)以及高雪崩/高重復(fù)性非鉗位感性開關(guān)(UIS)能力和高短路耐受額定值。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展,在6號展廳318展臺展示有源整流器PFC參考設(shè)計(jì)以及SiC產(chǎn)品系列中的其它解決方案。

美高森美副總裁兼分立和電源管理部門經(jīng)理Leon Gross表示:“汽車市場不斷變化,混合動(dòng)力車(HEV)和電動(dòng)車日益增加,SiC器件可以使得這些車輛提高效率,行走更遠(yuǎn)路程。這繼續(xù)推動(dòng)了市場對我們產(chǎn)品組合中的這些SiC器件以及其它高可靠性產(chǎn)品的高需求。在過去幾年來成功發(fā)布SiC MOSFET和二極管產(chǎn)品組合后,我們新推出的三相三開關(guān)三電平PFC參考設(shè)計(jì)是一個(gè)具體示例,說明如何在要求嚴(yán)苛的應(yīng)用中利用這些部件,展示其穩(wěn)健性、高性能和整體價(jià)值。”

美高森美的用戶友好30 kW三相PFC參考設(shè)計(jì)包括用于其下一代SiC二極管和MOSFET的設(shè)計(jì)文件、開源數(shù)字控制軟件和用戶指南。與單相PFC和兩電平六開關(guān)升壓脈寬調(diào)制(PWM)整流器設(shè)計(jì)相比,該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)具有多項(xiàng)優(yōu)勢,包括在連續(xù)導(dǎo)通模式下工作的失真極低,并可降低約98%的電源器件開關(guān)損耗;與Si/IGBT解決方案相比,它還具有高效率和緊湊外形尺寸的優(yōu)勢。

該參考設(shè)計(jì)還提供詳細(xì)的3D機(jī)械和散熱設(shè)計(jì),并帶有集成的風(fēng)扇和冷卻通道以降低熱阻和縮小總系統(tǒng)尺寸。其印刷電路板(PCB)布局在開發(fā)時(shí)已考慮了安全性、電流應(yīng)力、機(jī)械應(yīng)力和抗噪聲能力。參考設(shè)計(jì)包帶有可立即使用的硬件和經(jīng)過驗(yàn)證的開源軟件,可降低大功率開關(guān)設(shè)計(jì)的技術(shù)風(fēng)險(xiǎn),同時(shí)加快產(chǎn)品上市。

除了適合快速EV/HEV充電器和適用于汽車和工業(yè)市場大功率三相電源外,美高森美全新有源三相PFC參考設(shè)計(jì)還可以用于醫(yī)療、航天、國防和數(shù)據(jù)中心市場。這款參考設(shè)計(jì)補(bǔ)充了面向HEV/EV充電、插電/感應(yīng)式車載充電器(OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車動(dòng)力系統(tǒng)/牽引控制、光伏(PV)逆變器和作動(dòng)器應(yīng)用美高森美整體SiC解決方案組合。

包括IndustryARC和Technavio在內(nèi)的市場研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),電動(dòng)車電力電子市場到2021年的年復(fù)合增長率(CAGR)將達(dá)到19%至33%。包括SiC器件在內(nèi)的寬帶隙半導(dǎo)體器件具有高工作溫度能力和高效率,因此在EV動(dòng)力傳送、DC-DC轉(zhuǎn)換器、充電和開關(guān)電源應(yīng)用中的使用將會與日俱增。

6月5日至7日在PCIM展會6號展廳318展臺進(jìn)行演示

美高森美產(chǎn)品專家將在PCIM展會期間于公司展臺上演示全新Vienna PFC參考設(shè)計(jì)和美高森美SiC解決方案。

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