基于氮化鎵（eGaN®）技術(shù)的汽車應(yīng)用即將到來

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的兩個(gè)車用氮化鎵晶體管成功通過了國際汽車電子協(xié)會(huì)所制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測試認(rèn)證。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布其兩個(gè)車用氮化鎵(eGaN)器件成功通過AEC Q101測試認(rèn)證，可在車用及其它嚴(yán)峻環(huán)境實(shí)現(xiàn)多種全新應(yīng)用。EPC2202及EPC2203是采用晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCS)、80 VDS 的分立晶體管。面向嚴(yán)峻的車用環(huán)境的多個(gè)分立晶體管及集成電路也將在不久的未來推出。

基于氮化鎵(eGaN)技術(shù)的產(chǎn)品已進(jìn)行量產(chǎn)超過8年，累計(jì)了數(shù)十億小時(shí)的實(shí)際汽車應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，包括全自動(dòng)駕駛汽車的激光雷達(dá)及雷達(dá)系統(tǒng)、48 V–12 V DC/DC轉(zhuǎn)換器及高強(qiáng)度的貨車頭燈等應(yīng)用。EPC2022及EPC2023是第一批通過AEC Q101測試認(rèn)證的產(chǎn)品。

EPC2202為80 V、16 mΩ增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)晶體管，采用2.1 毫米x1.6毫米芯片級封裝，脈沖電流為75 A。EPC2203 為80 V、73 mΩ器件，采用0.9 毫米x0.9毫米芯片級封裝，脈沖電流為18 A。與等效MOSFET相比，這些氮化鎵場效應(yīng)晶體管的尺寸小很多，而且可實(shí)現(xiàn)的開關(guān)速度快10至100倍。兩個(gè)產(chǎn)品專為各種汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)，包括：

· 激光雷達(dá)

· 高強(qiáng)度的貨車頭燈

· 48 V – 12 V DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 具有超高保真度的信息娛樂系統(tǒng)

要通過AEC Q101認(rèn)證測試，EPC的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)必需通過在嚴(yán)峻環(huán)境及不同偏壓的條件下的各種測試，包括偏壓濕度測試(H3TRB)、高溫反向偏壓(HTRB)、高溫柵極偏壓(HTGB)、溫度循環(huán)(TC)及其它多種不同的測試。要留意的是，EPC器件的芯片級封裝也通過采用傳統(tǒng)封裝的器件的所有相同測試標(biāo)準(zhǔn)，證明芯片級封裝具備卓越性能而器件同時(shí)保持堅(jiān)固耐用及其高可靠性。這些eGaN器件在符合汽車質(zhì)量管理系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)IATF 16949的設(shè)備中生產(chǎn)。

EPC公司的首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱：“氮化鎵技術(shù)在汽車的應(yīng)用還是剛剛開始發(fā)展。緊隨這兩個(gè)通過認(rèn)證的車用氮化鎵器件，我們將推出更多、一系列的晶體管及集成電路，從而打造自動(dòng)駕駛汽車的未來、節(jié)省汽油的使用量及提高駕駛的安全性。與目前車用、日益老化的硅基功率MOSFET相比，基于eGaN技術(shù)的產(chǎn)品的開關(guān)更快速、尺寸更小、效率更高及更可靠。"

價(jià)格及供貨

EPC2202 eGaN FET在批量為1,000片時(shí)的單價(jià)為1.57美元。EPC2203在批量為1,000片時(shí)的單價(jià)為0.44美元。