安森美半導(dǎo)體寬禁帶技術(shù)――支持大趨勢(shì)應(yīng)用

最重要的應(yīng)用和當(dāng)前電子領(lǐng)域大趨勢(shì)越來(lái)越需要超越常規(guī)硅器件的高壓、高頻和高溫性能。

使用諸如碳化硅(SiC)等材料的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)正在興起，為重要的高增長(zhǎng)終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車(chē)DC-DC和電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器以及太陽(yáng)能、不間斷電源和服務(wù)器電源帶來(lái)顯著的好處和增強(qiáng)的可靠性。

安森美半導(dǎo)體包括二極管、驅(qū)動(dòng)器和MOSFET的SiC陣容，以及正發(fā)展成一個(gè)整體生態(tài)系統(tǒng)的產(chǎn)品，因新推出的兩款MOSFET – 工業(yè)級(jí)NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車(chē)級(jí)NVHL080N120SC1而得以增強(qiáng)。

如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運(yùn)行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導(dǎo)體特性，尤其是更高的能效，意味著更低的功耗直接減少熱管理問(wèn)題。這不僅減少物料單(BoM)成本，還有助于產(chǎn)品整體尺寸和重量的進(jìn)一步減少。

這些特性特別適合功率需求巨大的應(yīng)用如云服務(wù)器中心，隨著中心擴(kuò)展以解決數(shù)據(jù)和云存儲(chǔ)無(wú)止盡的需求，功率需求還在不斷增長(zhǎng)。多個(gè)領(lǐng)域節(jié)省的少量功率和更高能效所節(jié)省的能源，相當(dāng)于節(jié)省了幾十萬(wàn)美元的成本，也避免了復(fù)雜的熱管理問(wèn)題。

這種性能好處在汽車(chē)應(yīng)用中也很有價(jià)值，最小化功耗/最大化能效乃至減輕幾克都會(huì)影響燃油能效，或?qū)τ陔妱?dòng)汽車(chē)則能增加里程。

對(duì)于所有應(yīng)用，SiC寬禁帶半導(dǎo)體減少的電磁干擾(EMI)是受歡迎的，消除了設(shè)計(jì)過(guò)程中的一些未知因素和最終增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性。

對(duì)于著手用相對(duì)新的、也因此不熟悉的SiC半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)方案的設(shè)計(jì)工程師，資源如器件仿真工具、SPICE模型和應(yīng)用信息在通過(guò)設(shè)計(jì)流程引導(dǎo)他們和幫助他們完成優(yōu)化的設(shè)計(jì)以應(yīng)對(duì)高頻、高功率電路特有的挑戰(zhàn)至關(guān)重要