半導(dǎo)體激光管驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
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由于大電流激光二極管價(jià)格昂貴,而且很容易受到過電壓,過電流損傷,所以高功率僅僅有大電流開關(guān)模塊還不能滿足高功率二極管激光器的要求,還需要相應(yīng)的保護(hù)電路。要保證電壓、電流不要過沖。因此,需要提出一整套切實(shí)可行的技術(shù)措施,來(lái)滿足高功率二極管激光器的需要。
1 系統(tǒng)構(gòu)成
裝置輸入電壓為24 V,輸出最大電流為20 A,根據(jù)串聯(lián)激光管的數(shù)量輸出不同電壓。如果采用交流供電,前端應(yīng)該采用AC/DC作相應(yīng)的變換。該裝置主要部分為同步DC/DC變換器,其原理圖如圖1所示。
Vin為輸入電壓,VM1、VM2為MOSFET,VM1導(dǎo)通寬度決定輸出電壓大小,快恢復(fù)二極管和VM2共同續(xù)流電路,整流管的導(dǎo)通損耗占據(jù)最主要的部分,因此它的選擇至關(guān)重要,試驗(yàn)中選用通態(tài)電阻很低的M0SFET。電感、電容組成濾波電路。測(cè)量電阻兩端電壓與給定值比較后,通過脈沖發(fā)生器產(chǎn)生相應(yīng)的脈寬,保持負(fù)載電流穩(wěn)定。VM1關(guān)斷,快恢復(fù)二極管工作,快恢復(fù)二極管通態(tài)損耗大,VM2接著開通續(xù)流,減少系統(tǒng)損耗。
2 工作原理
VM1導(dǎo)通ton時(shí),可得:,電流紋波為:,VM1關(guān)斷,電流通過VD續(xù)流,接著VN2導(dǎo)通。由于VM2的阻抗遠(yuǎn)小于二極管阻抗,因此通過VM2續(xù)流。VMl、VN2觸發(fā)脈沖如圖2所示。圖2中td為續(xù)流二極管導(dǎo)通時(shí)間。
二極管消耗的功率為P=VtdI0。一般快恢復(fù)二極管壓降0.4 V,當(dāng)電流20 A時(shí),二極管消耗功率為0.8 W。如采用MOSFET,則消耗的功率將小很多。本實(shí)驗(yàn)采用威世半導(dǎo)體公司的60 A的MOSFET,其導(dǎo)通等效電阻為0.0022 Ω。當(dāng)電流為20 A時(shí),消耗功率約為0.088 W。
由電流紋波公式可知,增大電感、減小ton都可以減小紋波。為了不提高電感容量,實(shí)驗(yàn)中采用200 kHz的工作頻率,其中電感選用4.8-μH,根據(jù)公式可得激光管壓降2 V時(shí)紋波電流約為1 000 mA。
系統(tǒng)采用了電流負(fù)反饋電路,以適應(yīng)激光二極管的要求。當(dāng)負(fù)載變化,電流略大于給定電流時(shí),減小ton寬度,電壓降低。電流略小于給定電流時(shí),增加ton寬度,這樣可以維持電流穩(wěn)定。圖3所示為脈沖發(fā)生器結(jié)構(gòu)。[!--empirenews.page--]
圖3中,R1,R2為電壓測(cè)量電阻,Rc為電流測(cè)量電阻。調(diào)節(jié)R1可以設(shè)定最大輸出電壓。Rc限制最大輸出電流。當(dāng)最大電壓或電流其中一個(gè)達(dá)到給定值,則脈沖寬度最大。這樣可以保證負(fù)載正常工作。
其仿真結(jié)果如圖4所示。
3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
實(shí)驗(yàn)曲線如圖5所示,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)為輸入電壓12 V,輸出電壓2 V左右,測(cè)量電阻0.0025 Ω,最大輸出電流20 A。
實(shí)驗(yàn)中用50 A的2個(gè)二極管串聯(lián)作為負(fù)載,輸入電壓12 V時(shí),不同電流下輸出及效率如表1所示。