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[導(dǎo)讀]摘要 利用MK6A11P單片機(jī)設(shè)計(jì)的寬電壓智能型爆閃燈,這種爆閃燈自動(dòng)調(diào)節(jié)高壓充電速率及電壓,減輕了開關(guān)管和充電電容負(fù)擔(dān),并且具有多種工作模式,具有過(guò)壓、過(guò)溫保護(hù)等功能,可在10~48 V寬電壓范圍工作。由于使用了

摘要 利用MK6A11P單片機(jī)設(shè)計(jì)的寬電壓智能型爆閃燈,這種爆閃燈自動(dòng)調(diào)節(jié)高壓充電速率及電壓,減輕了開關(guān)管和充電電容負(fù)擔(dān),并且具有多種工作模式,具有過(guò)壓、過(guò)溫保護(hù)等功能,可在10~48 V寬電壓范圍工作。由于使用了性價(jià)比很高的MK6A11P單片機(jī),整體電路簡(jiǎn)單,工作穩(wěn)定,產(chǎn)品的一致性好、成本低。
關(guān)鍵詞 MK6A11P單片機(jī);智能;爆閃燈;寬電壓

    MK6A11P單片機(jī)具有較強(qiáng)的抗干擾能力,內(nèi)含RC振蕩器、看門狗及復(fù)位電路,與其他系列單片機(jī)相比,省去了很多外圍元件,且格低廉,適用于各種工業(yè)用小型產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。
    利用該芯片和NE555芯片組合設(shè)計(jì)的智能型爆閃燈,具有整體電路簡(jiǎn)單、工作穩(wěn)定,產(chǎn)品的一致性好,極大地提高批量生產(chǎn)能力和競(jìng)爭(zhēng)能力。

1 利用MK6A11P的寬電壓智能型爆閃燈
1.1 整體電路框圖
    整體電路框圖如圖1所示,由溫度檢測(cè)、過(guò)壓檢測(cè)、工作模式設(shè)置、能量調(diào)節(jié)及驅(qū)動(dòng)、高壓檢測(cè)及脈沖觸發(fā)部分組成,從而使爆閃燈具有完善的保護(hù)功能和自適應(yīng)功能。


1.2 MK6A11P單片機(jī)的特性
    MK6A11P是RISC高性能的8位單片機(jī),內(nèi)部包含1 kbit×14 bit的OTP方式的ROM,48個(gè)8位RAM和一個(gè)8位定時(shí)/計(jì)數(shù)器。內(nèi)含上電復(fù)位、低電壓復(fù)位、外部復(fù)位、WDT復(fù)位。具有外部RC、LS晶振、NS晶振、HS晶振和內(nèi)部4 MHz RC振蕩器,有8腳和14腳封裝,I/O口在輸入狀態(tài)下,可置為上拉電阻或下拉電阻模式,可省去外部的上拉電阻。
1.3 同步方式的反激式升壓電路設(shè)計(jì)
    利用簡(jiǎn)單電路設(shè)計(jì)能量可控制的反激式升壓器是設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。MK6A11P單片機(jī)I/O的輸出電壓約為4.5 V,驅(qū)動(dòng)電流較小,因此不能直接驅(qū)動(dòng)MOSFET。如果利用電平變換方法驅(qū)動(dòng)也可以,但是一旦程序進(jìn)入“死循環(huán)”,I/O的狀態(tài)是不定的,因此不能及時(shí)關(guān)斷MOSFET開關(guān)管(死循環(huán)時(shí)內(nèi)部的看門狗能自動(dòng)復(fù)位,但時(shí)間是ms量級(jí),不能保護(hù)開關(guān)管),即可損壞開關(guān)管。
    因此需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)器,該驅(qū)動(dòng)器具有1O V/300 mA以上的驅(qū)動(dòng)能力,可設(shè)置能量?jī)?chǔ)存值,可快速關(guān)斷開關(guān)管,且價(jià)格低廉。
    NE555是通用的定時(shí)器芯片,輸出電壓為5~15 V,輸出電流可達(dá)500 mA。內(nèi)有2個(gè)比較器,比較點(diǎn)電壓分別是UF和UF/2,圖2所示,當(dāng)2腳的電壓低于UF/2時(shí)輸出為高電平,6腳的電壓高于UF時(shí)輸出為低電平。利用此特性設(shè)計(jì)出同步方式的轉(zhuǎn)換能量可改變的反激式變換器。

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    變壓器T1初級(jí)儲(chǔ)存的能量由式(1)決定。
   
    圖2電路中UH=UD+UZ,UZ為穩(wěn)壓管D3的穩(wěn)壓值,當(dāng)UH>UF時(shí)NE555輸出低電平,開關(guān)管關(guān)斷,因此式(2)成立。
   
    可知變壓器初級(jí)電感儲(chǔ)存的能量取決于UF的大小,而UF的大小取決于K點(diǎn)的PWM信號(hào)的占空比,因此改變占空比可改變UF的大小,從而調(diào)節(jié)充電速率。
    MK6A11P單片機(jī)發(fā)出30 kHz的同步脈沖,經(jīng)過(guò)C5加到2腳觸發(fā),使輸出為高電平,開關(guān)管Q1導(dǎo)通,變壓器初級(jí)的電流線性增加,D點(diǎn)的電壓也線性增加,當(dāng)UD>UF-UZ 時(shí),NE555輸出為低電平,快速關(guān)斷開關(guān)管,變壓器初級(jí)儲(chǔ)存的能量通過(guò)次級(jí)釋放到高壓電容,電容被充電。由于同步脈沖是單片機(jī)發(fā)出的,因此工作頻率穩(wěn)定,可減少諧波。
1.4 充電速率的智能控制原理
    圖3為2次爆閃模式下工作時(shí),正常、過(guò)慢、過(guò)快充電情況下的充電曲線。理想的充電速率是,當(dāng)電壓剛達(dá)到設(shè)定值時(shí),頻閃管被觸發(fā),高壓電容的電壓被放電。由圖3可知充電過(guò)慢達(dá)不到設(shè)定值,影響爆閃亮度,過(guò)陜產(chǎn)生過(guò)充電壓,增加開關(guān)管、變壓器、高壓電容的負(fù)擔(dān),在3次或4次爆閃模式下工作時(shí)更為嚴(yán)重。


    表l是電容C1為100μF時(shí)充電電壓與儲(chǔ)存能量的關(guān)系表。當(dāng)正常工作時(shí)一次放電電壓為350 V,二次放電電壓為200 V,而過(guò)快時(shí)一次放電電壓為350 V,而二次放電電壓為240 V,過(guò)充電壓為40 V,則電壓改變量為20%,而能量改變量可達(dá)44%,這是因?yàn)殡娙葜袃?chǔ)存的能量與充電電壓成平方關(guān)系。


    工作時(shí)MK6A11P單片機(jī)檢測(cè)圖7中E點(diǎn)的電壓,當(dāng)電壓過(guò)早達(dá)到設(shè)定值時(shí),K點(diǎn)的PWM信號(hào)占空比減少,從而UF降低,減少充電速率,反之亦然。
    圖4為升壓電路工作時(shí)B,D,F(xiàn),G點(diǎn)的波形,每次被觸發(fā)后延遲5~6μs后G點(diǎn)為高電平,可知同步效果和開關(guān)波形良好,能量控制點(diǎn)(F點(diǎn))的電壓紋波很小。


    圖5為3次爆閃模式工作時(shí),實(shí)測(cè)的工作波形,可見高壓剛達(dá)到設(shè)定值后,被觸發(fā)脈沖觸發(fā)放電,不發(fā)生過(guò)慢、過(guò)快充電現(xiàn)象。
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1.5 脈沖序列發(fā)生器設(shè)計(jì)
    爆閃式信號(hào)燈需要多種工作模式,圖6中列出了部分不同的工作模式。


    為了產(chǎn)生30 kHz的同步脈沖單片機(jī)的定時(shí)器T0以30 kHz速率申請(qǐng)中斷,通過(guò)N次分頻后可得所需要的脈沖序列,利用模式選擇開關(guān)S1選擇不同的工作模式。
1.6 過(guò)電壓和過(guò)溫度保護(hù)
    圖7為整體工作電路,通過(guò)R1,R5對(duì)電源的輸入電壓進(jìn)行分壓檢測(cè),如果大于50 V則停止輸出同步脈沖,電路停止工作。


    過(guò)高的溫度是損壞或縮減產(chǎn)品壽命的重要原因,特別是高壓電容工作在高壓、大電流放電狀態(tài),工作溫度很高,實(shí)際電路中采用105℃的電解電容,但要求不要超過(guò)80℃,以防止電解液干枯,縮短使用壽命。
    熱敏電阻RT1在線路板上安裝在靠近高壓電容的位置,檢測(cè)信號(hào)燈內(nèi)部的最高的溫度,一旦超過(guò)80℃,停止輸出同步脈沖,電路停止工作,待溫度降下后自動(dòng)工作。如果不允許爆閃燈停止工作的場(chǎng)合,可降低設(shè)定的高壓值工作,待溫度降下后自動(dòng)恢復(fù)。

2 結(jié)束語(yǔ)
    利用MK6A11P單片機(jī)設(shè)計(jì)的寬電壓智能型爆閃燈,經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)得出如下結(jié)論:各種保護(hù)功能工作正常,自適應(yīng)各種情況,在寬電壓范圍工作時(shí)充電速率很理想。反激式升壓部分采用了由單片機(jī)發(fā)出同步脈沖開啟,由NE555快速關(guān)閉,因此工作頻率穩(wěn)定,即使發(fā)生了死機(jī)現(xiàn)象也能很好地保護(hù)開關(guān)管。整體電路簡(jiǎn)單,工作穩(wěn)定,產(chǎn)品的一致性好,從而極大地提高生產(chǎn)能力、維護(hù)能力和產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)能力。

 

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