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[導(dǎo)讀]摘要:文中對大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)特性、驅(qū)動要求進(jìn)行了分析和討論,介紹了一種高頻條件下實用的IGBT驅(qū)動電路,并通過理論分析和仿真波形說明了該驅(qū)動電路的有效

摘要:文中對大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)特性、驅(qū)動要求進(jìn)行了分析和討論,介紹了一種高頻條件下實用的IGBT驅(qū)動電路,并通過理論分析和仿真波形說明了該驅(qū)動電路的有效性和適用性。
關(guān)鍵字:高頻;絕緣門極雙極型晶體管;驅(qū)動電路;IGBT

0 引言
    絕緣門極雙極型晶體管是復(fù)合了功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、飽和壓降低、耐壓高和承受電流大等優(yōu)點,因此現(xiàn)今應(yīng)用相當(dāng)廣泛。但是IGBT良好特性的發(fā)揮往往因其柵極驅(qū)動電路設(shè)計上的不合理,制約著IGBT的推廣及應(yīng)用。本文分析了IGBT對其柵極驅(qū)動電路的要求,設(shè)計了一種適用于高頻條件下小功率電路可靠穩(wěn)定的分立式IGBT驅(qū)動電路。

1 IGBT驅(qū)動電路的基本要求
    IGBT的驅(qū)動電路是IGBT與控制電路之間的接口,實現(xiàn)對控制信號的隔離、放大和保護(hù),驅(qū)動電路對IGBT的正常工作及其保護(hù)起著非常重要的作用,門極電路的正偏壓uGS,負(fù)偏壓-uGS和門極電阻Rc的大小,對IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)、開關(guān)損耗、承受短路能力參數(shù)有不同的程度的影響,因此驅(qū)動電路設(shè)計對IGBT的動態(tài)和靜態(tài)性能都有重要影響,對驅(qū)動電路提出以下要求:
    ①動態(tài)驅(qū)動能力強(qiáng),能為柵極驅(qū)動電壓脈沖提供充分大上升率和下降率,以減小開通和關(guān)斷損耗。但是,由于主電路中存在分布電感及濾波電容的串聯(lián)電感,隨著IGBT的高速開通與關(guān)斷將在電路中產(chǎn)生高頻幅值很高而寬度很窄的尖峰電壓Ldi/dt,該尖峰電壓應(yīng)用常規(guī)的過電壓吸收電路是吸收不掉的,因而有可能造成IGBT自身或電路中其他元件過電壓擊穿而損壞。所以,主電路應(yīng)盡可能使用短引線或雙絞線降低分布電感的影響,而且IGBT開關(guān)時間也不能過短,其值應(yīng)根據(jù)所有元件及IGBT自身的承受du/dt的能力綜合考慮。
    ②能向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艠O電壓,IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),在集射極電流一定的情況下,uGE越高,uCE就越低,器件的導(dǎo)通損耗就越小,這有利于提高開關(guān)效率。但是,uGE并非越高越好,一般不允許超過20V,原因是一旦發(fā)生過流或短路,柵壓越高,則電流幅值越高,IGBT損壞的可能性就越大。通常取15V為宜。
    ③能向IGBT提供適當(dāng)?shù)姆聪驏艠O電壓。IGBT柵射極施加的反向偏壓有利于其快速關(guān)斷,但-uGE反向偏壓受IGBT柵射極之間反向最大耐壓的限制,過大的反向電壓會造成IGBT柵射極的反向擊穿,所以-UGE應(yīng)取合適的值,一般為-2V~-15V。
    ④有足夠的輸入輸出電隔離能力。由于IGBT多用于高電壓場合,而控制電路并不與高壓電路有直接耦合,所以驅(qū)動電路應(yīng)與整個控制電路在電位上有嚴(yán)格的隔離。但是,這種電隔離不應(yīng)影響驅(qū)動信號的正常傳輸。
    ⑤具有柵極電壓限幅能力,保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極限電壓一般為-20~+20V,超出此范圍就可能破破環(huán)柵極。
    ⑥選擇合適RG,IGBT驅(qū)動電路中的RG對工作性能有較大的影響,RG較大,有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率,但會增加IGBT的開關(guān)時間和開關(guān)損耗,RG較小,會引起電流上升率增大,使IGBT誤導(dǎo)通或損環(huán)。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐一幾十歐。
    ⑦IGBT的柵極驅(qū)動電路應(yīng)盡可能的簡單、實用,最好具有對驅(qū)動IGBT的完整保護(hù)能力及很強(qiáng)的抗干擾性能,而且輸出阻抗應(yīng)盡可能的低。
    ⑧由于柵極信號的高頻變化,造成同一個系統(tǒng)多個IGBT的柵極驅(qū)動電路相互干擾。為防止干擾的出現(xiàn),引線應(yīng)采用絞線或同軸電纜屏蔽線,同時柵極驅(qū)動電路中IGBT模塊柵射的引線也應(yīng)盡可能的短。
2 實用型IGBT驅(qū)動電路
    針對IGBT驅(qū)動電路的上述要求,在工程實踐中提煉出一種簡單實用的分立式IGBT驅(qū)動電路,其電路簡圖如圖1所示,在電路簡圖中:Q1,Q3為NPN型三極管,Q2,Q4為PNP型三極管,D1~D4為保護(hù)二極管,二路PWM控制信號A,B為高電平或低電平,即A為高電平,B為低電平時,Q1、Q4導(dǎo)通,Q2、Q3關(guān)斷,此時,Q1、Q4和T1原邊繞組就形成通路,脈沖電壓加在T1的原邊,與原邊同相位的次邊得到開通驅(qū)動信號,與原邊相反的次邊得到關(guān)斷驅(qū)動信號。這些部分的作用是將A、B信號推挽放大,并通過隔離變壓器T1將驅(qū)動信號發(fā)生電路與高壓電路隔離。

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    當(dāng)開通驅(qū)動信號加在CD端時,在脈沖的上升沿,電容C1相當(dāng)短路,通過門極電阻R1和加速電容C1向IGBT柵極提供較大電流,降低驅(qū)動脈沖的上升時間,最終IGBT因uGE上升至15V而導(dǎo)通。同時因為NPN三極管Q5的門極通過R2接至低電平,因此處于截止?fàn)顟B(tài),對IGBT的導(dǎo)通沒有影響;在脈沖平頂期,此時,IGBT的輸入電容Cies已經(jīng)滿電,此時IGBT的G-E極之間相當(dāng)于斷開,變壓器次邊VCD保持高電平。當(dāng)脈沖下降沿到來時,IGBT的輸入電容在這段時間要反向放電,若放電速度太快,會引起極大的關(guān)斷尖峰,造成IGBT的損壞;若放電速度太慢又會造成IGBT關(guān)斷時間過長,形成較大的拖尾電流,造成關(guān)斷損耗增加,降低效率。因此應(yīng)該適當(dāng)控制IGBT輸入電容的放電速度。在圖1的實用型驅(qū)動電路中,可以通過改變Q5的限流電阻R2和加速電容C1的值來實現(xiàn)Cies適當(dāng)放電:當(dāng)C1較大,R2較小時,一方面電容C1中儲存的電量較大,另一方面,三極管Q5基極電流大使得發(fā)射極電流大,因此Cies的放電速度較大;當(dāng)C1較小,R2較大時,Cies放電速度減小。又因為C1往往大于Cie-s,因此在輸入電容Cies放電結(jié)束后,即IGBT關(guān)斷后,C1上可能還殘存少量電量,若沒有適當(dāng)?shù)姆烹娀芈罚@個電容經(jīng)過幾個脈沖周期后充滿電荷,而失去加速作用,所以要求C1在每個周期上升沿到來時,電容上無存儲電荷,因此在IGBT的G-E端并聯(lián)電阻R3,給電容C1提供放電回路。D5為15V穩(wěn)壓管,防止驅(qū)動信號失控而造成的IGBT損壞。

3 仿真結(jié)果及分析
    運用PSpice軟件在脈沖頻率50kHz,占空比為50%,輸入電壓600伏,負(fù)載600歐的條件下來對比該實用型驅(qū)動電路與普通驅(qū)動電路的驅(qū)動效果。圖2為仿真波形圖,從波形圖可以看出,在脈沖信號(V(V1))的上升沿普通的驅(qū)動信號也快速上升,使得流經(jīng)IGBT集射極電流(圖中間的I(R1))急劇上升,而實用驅(qū)動信號有一個可適宜的的斜率,防止因du/dt過大而造成的對IGBT的損害,并能可以通過調(diào)節(jié)R1的值來以使集射極電流以一個適宜的斜率上升。在脈沖信號的下降沿,普通驅(qū)動的集射極電流拖尾時間長為2.7μs,而采用實用型驅(qū)動電路的CE端電流拖尾時間只有1.3,下降時間的減少,有利于減少IGBT集射極二端電流與電壓共同作用時而產(chǎn)生的功耗,能夠較好減少關(guān)斷損耗,提高效率。



4 結(jié)束語
    通過以上分析可知,IGBT的門極驅(qū)動條件密切地關(guān)系到IGBT的靜態(tài)和動態(tài)性能。門極電路的開通電壓,關(guān)斷電壓,開通電壓上升率,關(guān)斷電壓下降率對IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)速率、開關(guān)損耗、承受di/dt電壓等參數(shù)有不同程序的影響。調(diào)節(jié)R1可獲得適宜的脈沖前沿上升率,即保證IGBT能在盡量短的時間內(nèi)導(dǎo)通,又保證不會因為du/dt過大而產(chǎn)生尖峰或?qū)GBT造成損壞;取適宜C1值,使電容C1即能引收因高頻開關(guān)造成的尖峰。又能與R2配合,加快IGBT的關(guān)斷,減小平均拖尾電流的大小和拖尾電流存在的時間,上述參數(shù)的大小一般要通過多次試驗來確定,以達(dá)到最佳驅(qū)動將是。
    此驅(qū)動電路已經(jīng)在2000W高頻移相軟開關(guān)直流電源中得到應(yīng)用。由于其只采用簡單的分立式元件,不需要專業(yè)芯片,結(jié)構(gòu)簡單,成本低廉。而且可靠性高,因此非常適合小功率的IGBT開關(guān)電路,具有很大的應(yīng)用前景。

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