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[導(dǎo)讀]引言  根據(jù)《太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)研制技術(shù)協(xié)議》的規(guī)定, 接入太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)的電池陣列在最強光照的情況下的開路電壓將不能超過750 V,最低不低于120 V。本文介紹的開關(guān)電源就是在120~750 V的輸入電壓范圍內(nèi)能

引言

  根據(jù)《太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)研制技術(shù)協(xié)議》的規(guī)定, 接入太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)的電池陣列在最強光照的情況下的開路電壓將不能超過750 V,最低不低于120 V。本文介紹的開關(guān)電源就是在120~750 V的輸入電壓范圍內(nèi)能穩(wěn)定地輸出, 從而使太陽能光伏并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng)能在協(xié)議規(guī)定的輸入范圍內(nèi)穩(wěn)定地為低壓控制器、IGBT驅(qū)動器以及LCD供電, 并使系統(tǒng)可靠地工作。
 

  1 電路拓撲

  本設(shè)計的電路拓撲結(jié)構(gòu)如圖1所示, 圖中,當VT1和VT2同時導(dǎo)通時, DC電源和變壓器初級組成回路, 變壓器初級的電流上升, 變壓器的磁通密度從初始的剩余磁通Br上升到峰值Bw, 并將能量存儲在變壓器中, 這時, 由于次級的二極管VD3的截止作用, 使得變壓器不能向次級傳送能量; 而當VT1和VT2同時關(guān)斷的時候, 由于反激的作用, 變壓器初級的電壓反向, 鉗位二極管VD1和VD2導(dǎo)通, 以把原邊繞組的反激電壓和開關(guān)管上的電壓鉗制在電源電壓Vdc。此時, 存儲在變壓器的能量一部分向副邊傳遞, 另一部分通過鉗位二極管返回給電容C1和C2。因而在反激時間內(nèi), 變壓器的磁通密度從峰值Bw下降到剩余磁通Br。經(jīng)過一段時間, VT1和VT2又同時開通,以進入下一個周期。整個電路通過連續(xù)地開關(guān)VT1和VT2, 就可以得到穩(wěn)定的直流輸出。

 

 


圖1 雙管反激式拓撲結(jié)構(gòu)

  由于實際電路的分布參數(shù)以及開關(guān)管VT1和VT2的屬性并非完全相同, 所以, VT1和VT2不是完全同時開關(guān)。當VT1先關(guān)斷時, 變壓器初級T1、VT2和VD2組成回路續(xù)流, 而當VT2關(guān)斷時,變壓器儲存的能量將向次級傳送; 同理, 當VT2先關(guān)斷, 變壓器初級T1、VT1和VD1將組成回路續(xù)流, 并當VT1關(guān)斷時, 變壓器存儲的能量向次級傳送。

  與一般采用單管加控制芯片的開關(guān)電源不同的是, 本設(shè)計采用了上下兩個MOSFET, 這樣做的目的一是可以降低每個開關(guān)管上承受的電壓,二是兩個開關(guān)管不需要采用兩個控制芯片來控制, 而只用一個PWM波就可以實現(xiàn)兩個開關(guān)管的同時開通和關(guān)斷。

  圖2所示是本設(shè)計的主電路圖, 圖中, D1和D2主要防止由于反激電壓串入DC電源引起DC電壓波動, R1和R2取值相同, C1和C2的容值屬性均相同, 這樣一方面可以平衡C1和C2上的電壓,另一方面可以降低C1的C2的耐壓。VT1和VT2共用一個驅(qū)動信號, 故可實現(xiàn)同時開通和關(guān)斷。R3為采樣電阻, 該主電路采用的是峰值電流控制模式。VT4的作用主要是外加保護。輔助繞組的設(shè)計主要是為控制電路供電。次級整流二極管后加π型濾波器的效果要比只用電容濾波更好, R4為假負載, 主要是防止開關(guān)電源的空載。R5, R6,tl431, pc817和R7共同組成反饋電路。

 


圖2 主電路圖[!--empirenews.page--]控制電路的設(shè)計 #e#

 

  2 控制電路的設(shè)計

  本設(shè)計采用SG*1高集成環(huán)保模式PWM控制器, 該控制器采用電流模式(逐周期電流限制)的工作方式, 可以實現(xiàn)軟驅(qū)動圖騰柱輸出的可調(diào)控的PWM波形, 其輸出電壓可達18 V, 足以同時驅(qū)動兩路MOSFET。本設(shè)計還在PWM輸出端設(shè)計了一個信號耦合變壓器, 這樣可用同一個PWM信號來控制兩個MOSFET, 使Q1和Q2同時開通和關(guān)斷, 還可以實現(xiàn)驅(qū)動MOSFET信號的隔離。另外,該控制器也可以提供欠壓鎖定和過溫保護功能,當VDD小于10 V時, 控制器內(nèi)部將鎖定, 不再向外發(fā)送PWM波。

  本設(shè)計采用負載繞組給控制芯片SG*1供電, 從主電路可知, 輔助繞組和次級繞組處在相同的工作方式下, 這在設(shè)計變壓器的時候只要根據(jù)次級輸出就可以確定輔助繞組的設(shè)計。應(yīng)當注意的是, 在雙管反激電路中, 兩個開關(guān)管中間有一個懸浮地, 因而不能直接驅(qū)動, 所以, 這里采用變壓器隔離驅(qū)動方法來使VT1和VT2公用同一驅(qū)動信號。

  圖3所示是本設(shè)計的控制芯片電路及驅(qū)動電路, 圖中, R3接在直流電壓DC端主要用來啟動,當流入3腳的電流足夠啟動芯片的時候, 芯片8腳Gate輸出PWM波, 從而使主電路導(dǎo)通, 電源開始工作。R4主要確定芯片輸出PWM波的頻率, R5和C5組成電流采樣的匹配網(wǎng)路。由于芯片采用逐周峰值電流工作方式, 故在初級線圈電流達到峰值時, 芯片將關(guān)斷PWM波, 變壓器向次級傳送能量。

 


圖3 控制芯片電路及驅(qū)動電路

  圖4所示是其系統(tǒng)中的輸入欠壓和輸出過壓保護電路。由于本開關(guān)電源設(shè)計采用了輸入過壓和輸入欠壓保護, 故當輸入高于750 V或低于120V時, 比較器的2腳電壓值會高于2.5 V或比較器的5腳會低于2.5 V, 本設(shè)計采用精密可調(diào)線性穩(wěn)壓器TL431來產(chǎn)生2.5 V的基準源, 并分別給比較器的3腳和6腳供電, 這樣, 在比較器的1腳或7腳就會產(chǎn)生低電平, Q5由于基級電壓過低而截止,線性光耦U5的發(fā)光二極管不能發(fā)光。這時, 由于Q4S接到輸出儲能電容上, Q4G和Q4S不能組成通路, 所以, 加在Q4管的GS間的電壓Ugs為零, 開關(guān)管Q4關(guān)斷, 電源不能向后面負載供電, 從而實現(xiàn)欠壓和過壓保護功能。

 


圖4 輸入欠壓和輸出過壓保護電路

  3 電路變壓器的設(shè)計

  采用兩個開關(guān)管串聯(lián)不會影響主電路中變壓器的設(shè)計, 故可根據(jù)《開關(guān)電源設(shè)計指南》中相關(guān)介紹來計算變壓器參數(shù), 本設(shè)計選用TDK公司的PC40EE25高頻磁性材料作為鐵芯, 變壓器的參數(shù)計算如下:

  初級線圈的峰值電流:

 

 

  變壓器的有效功率:

 


  式中, Ac為有效磁芯面積, 單位為cm2, Bmax為最大磁通密度, 單位為G (高斯Wb/cm2)。[!--empirenews.page--]4 實驗結(jié)果

  目前, 筆者采用該技術(shù)成功地設(shè)計出了一種輸入范圍為120~800 V, 輸出功率為20 W的輔助開關(guān)電源。

  本設(shè)計采用直流120~800 V輸入, 輸出單路為20 V/1 A, 其實驗的工作頻率f為100 kHz, 主變壓器選用PC40 EE25高頻磁芯, 驅(qū)動隔離變壓器選用T57 R12.5×7.5×5高頻脈沖變壓器磁芯, 主開關(guān)VT1 和VT2 選用APT 4M120K N溝道MOSFET,鉗位二極管VD1和VD2選用HER308肖特基二極管, 整流二極管VD3選用CQ504, 保護電路開關(guān)管VD4選用IRF9640 P溝道MOSFET。

  5 結(jié)束語

  實驗證明, 由于本設(shè)計采用了反激式拓撲結(jié)構(gòu), 因此, 電路工作穩(wěn)定度好。這種結(jié)構(gòu)的特點是整個電路使用元器件少, 本身固有效率高(典型效率為80%), 采用單片開關(guān)控制, 整體設(shè)計比較經(jīng)濟, 又因為和主功率回路分開, 從而避免了相互干擾, 提高了可靠性。

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