基于全橋移相控制器UC3879的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

摘要：采用全橋移相型PWM控制器UC3879進(jìn)行了300 W開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：在開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)過(guò)程中采用全橋移相控制技術(shù)，可有效降低電磁噪聲，電源的動(dòng)態(tài)響應(yīng)快，通用性好，工作可靠。滿(mǎn)足系統(tǒng)控制指標(biāo)，具有較強(qiáng)的魯棒性。
關(guān)鍵詞：UC3879；全橋移相；開(kāi)關(guān)電源

    電源按控制方式一般可分為線(xiàn)性電源和開(kāi)關(guān)電源兩類(lèi)。其中：線(xiàn)性電源的輸出紋波較小、電磁兼容性較好，但效率較低、發(fā)熱較大、電源體積較大；開(kāi)關(guān)電源以其效率高、發(fā)熱量較小、體積小、重量輕，逐漸取代了線(xiàn)性電源。
    全橋移相的開(kāi)關(guān)電源控制方式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，控制方式簡(jiǎn)單。在這種控制方式下：開(kāi)關(guān)頻率恒定，有利于濾波器的優(yōu)化設(shè)計(jì)；可實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的零電壓開(kāi)關(guān)，減小了開(kāi)關(guān)損耗，提高了電源的工作效率；由于元器件的電壓和電流應(yīng)力較小，降低了元器件的性能要求，使電源成本降低。因此，在中、大功率的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)過(guò)程中多采用全橋移相的控制方式。
    筆者在此基礎(chǔ)上利用全橋移相技術(shù)，進(jìn)行了300 W開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)。

1 設(shè)計(jì)要求
    擬設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)電源的技術(shù)指標(biāo)如下：
    (1)輸入電壓范圍：DC 18 V～36 V；
    (2)輸出電壓：DC 24 V；
    (3)輸出電壓微調(diào)：標(biāo)稱(chēng)輸出電壓的±10％；
    (4)額定輸出電流：12 A；
    (5)負(fù)載調(diào)整度：±1％；
    (6)輸出電壓紋波峰峰值：200 mVp-p；
    (7)過(guò)流保護(hù)：15 A；
    (8)工作溫度：-20℃～+85℃；
    (9)環(huán)境濕度：相對(duì)濕度90％(35℃)。

2 開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)
    由于開(kāi)關(guān)電源輸出的功率較大，所以采用全橋移相的控制方式。電源主控芯片選用TI公司的全橋移相型PWM控制器UC3879，UC3879可對(duì)兩個(gè)半橋開(kāi)關(guān)電路的相位進(jìn)行移相控制，實(shí)現(xiàn)功率級(jí)的恒頻PWM控制；UC3879的4個(gè)輸出端分別驅(qū)動(dòng)A／B、C／D 2個(gè)半橋，每個(gè)半橋都能進(jìn)行單獨(dú)的導(dǎo)通延時(shí)(死區(qū))調(diào)節(jié)，在該死區(qū)時(shí)間內(nèi)確保下一個(gè)導(dǎo)通管的輸出電容放電完畢，為即將導(dǎo)通的開(kāi)關(guān)管提供零電壓開(kāi)通條件；UC3879可工作在電壓模式和電流模式下，并具有1個(gè)獨(dú)立的過(guò)電流關(guān)斷電路以實(shí)現(xiàn)故障的快速保護(hù)。其電氣特性如下：
    (1)可實(shí)現(xiàn)0～100％的占空比控制；
    (2)開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)2 MHz；
    (3)兩個(gè)半橋輸出的導(dǎo)通延時(shí)可單獨(dú)編程；
    (4)支持欠壓鎖定功能；
    (5)軟啟動(dòng)控制功能；
    (6)鎖定后的過(guò)流比較器在整個(gè)控制周期內(nèi)均可重新啟動(dòng)；
    (7)適用于電壓拓?fù)浜碗娏魍負(fù)洌?br />     (8)在欠壓鎖定期間輸出自動(dòng)變成低電平；
    (9)啟動(dòng)電流僅150μA；
    (10)誤差放大器帶寬為10 MHz。
    在開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)過(guò)程中，變壓器設(shè)計(jì)是整個(gè)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的核心，對(duì)開(kāi)關(guān)電源性能有決定性的影響?，F(xiàn)將這部分設(shè)計(jì)分述如下：
2．1 變壓器設(shè)計(jì)
    變壓器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是磁芯的選取、原邊／副邊匝數(shù)的計(jì)算。在此，為避免開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)噪聲對(duì)負(fù)載的干擾，選取開(kāi)關(guān)頻率為36 kHz，在此開(kāi)關(guān)頻率的基礎(chǔ)上進(jìn)行變壓器的設(shè)計(jì)。
2．1．1 磁芯選擇
    36 kHz開(kāi)關(guān)頻率條件下：
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    式中：Ap--磁芯面積乘積；
          Ae--磁芯有效截面積；
          AQ--窗口截面積；
          PT--開(kāi)關(guān)電源輸出功率；
          η--開(kāi)關(guān)電源效率，在此為0．8；
          fs--變壓器的開(kāi)關(guān)頻率；
          Bm--磁通密度；
          Km--窗口占空系數(shù)，與導(dǎo)線(xiàn)粗細(xì)、繞制工藝及漏感和分布電容的要求等有關(guān)；
          KC--電流密度系數(shù)，與鐵心形式、溫升要求等有關(guān)。
     為保證磁芯具有一定裕度，選取TDK E150磁芯，該磁芯Ap=4．14(Ae=230 mm2，Aw=180 mm2)，能夠滿(mǎn)足要求。
2．1．2 原邊／副邊匝數(shù)計(jì)算
    為減小導(dǎo)線(xiàn)的趨膚效應(yīng)，選取導(dǎo)體標(biāo)稱(chēng)直徑d=0．630 mm的導(dǎo)線(xiàn)，原邊12根并繞，副邊8根并繞。
    原邊匝數(shù)：
   
    式中：VDT--MOSFET漏源壓降；
          D--原邊繞組占空比；
          Bmax--最大磁通密度；
          Vdc(min)--直流母線(xiàn)電壓最小值；
          T--開(kāi)關(guān)周期，T=1／fs。
    嘗試取原邊匝數(shù)Np=4時(shí)，副邊匝數(shù)為：
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    考慮到導(dǎo)線(xiàn)的集膚效應(yīng)(集膚深度約0．38 mm)，選取標(biāo)稱(chēng)直徑0．630 mm的導(dǎo)線(xiàn)。其外徑為0．68 mm(1級(jí))。
    原邊并繞根數(shù)：
   
    取8根。
    下面計(jì)算繞組總面積：
    原邊繞組面積=Np×原邊并繞根數(shù)x0．6302=30．95 mm2．
    副邊繞組面積=Ns×副邊并繞根數(shù)x0．6302=22．2 mm2．
    總面積=原邊繞組面積+副邊繞組面積*2=84．12 mm2．

3 全橋移相變換器工作原理
    全橋移相變換器是輸出功率最高的一類(lèi)，其拓?fù)湓韴D如圖2：

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    全橋移相變換器通過(guò)改變功率開(kāi)關(guān)控制策略，使其中一個(gè)功率管先關(guān)斷，一次繞組的另一端仍與地相連，這使得漏感、諧振電感和MOSFE T的輸出電容構(gòu)成諧振網(wǎng)絡(luò)。這樣，一次繞組的開(kāi)路端電壓振蕩到下管的母線(xiàn)端電位，然后下管MOSFET以ZVS(零電壓開(kāi)關(guān))方式開(kāi)通。接著與一次繞組滯后端相連的MOSFET可以關(guān)斷，且滯后端振蕩到上管母線(xiàn)端電位，最后上管MOSFET開(kāi)通。MOSFET的開(kāi)通、關(guān)斷波形見(jiàn)圖3。

    由于MOSSFET管在關(guān)斷瞬間，一次繞組的兩端都有一個(gè)單端流過(guò)的負(fù)載電流，所以每個(gè)MOSFET都實(shí)現(xiàn)了ZVS開(kāi)通、關(guān)斷，錯(cuò)開(kāi)了功率器件大電流和高電壓同時(shí)出現(xiàn)的硬開(kāi)關(guān)狀態(tài)，抑制了MOSFET開(kāi)通、關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰，減少了開(kāi)關(guān)損耗與干擾。

4 諧振電感設(shè)計(jì)原則
    ZVS的實(shí)質(zhì)就是：利用諧振過(guò)程對(duì)并聯(lián)電容充放電，讓某一橋臂電壓Ua或Ub快速升至電源電壓或降至零值，使同一橋臂即將開(kāi)通管的并聯(lián)二極管導(dǎo)通，把該管兩端電壓迅速鉗在零位。而在主變壓器源端串接自我諧振電感Lr，可促使變換器滯后臂實(shí)現(xiàn)ZVS。
    由于只有Lr參與諧振，如果諧振開(kāi)始時(shí)Lr電流iLr較小，Lr儲(chǔ)能不夠，電容C的諧振電壓Uc的峰值就有可能達(dá)不到Uin，開(kāi)關(guān)管的并聯(lián)二極管就不能導(dǎo)通，其對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)管就不能實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)通。為了使電容的諧振電壓峰值能夠達(dá)到Uin，電感的儲(chǔ)能必須足夠，在諧振開(kāi)始時(shí)電感Lr的電流iLr(0)必須滿(mǎn)足：
   
    這一不等式是設(shè)計(jì)諧振電感Lr的依據(jù)。
    Lr取值較大可有效抑制原邊電流急劇變化引起的寄生振蕩，減小上沖或下沖的尖峰毛刺，降低開(kāi)關(guān)損耗；但Lr過(guò)大又會(huì)延長(zhǎng)占空比丟失時(shí)間，降低整機(jī)效率。Lr取值小些可縮短原邊電流在死區(qū)時(shí)間諧振過(guò)零的反向過(guò)程，在輸入電壓最低、輸出電流最大時(shí)仍能控制移相穩(wěn)壓，提升電源效率；但Lr過(guò)小，雖使占空比丟失減小，但原邊電流上沖或下沖的尖峰毛刺會(huì)顯著增大，增大開(kāi)關(guān)損耗，降低電源的可靠性。因此，在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，在允許的范圍內(nèi)要多做比較，不斷優(yōu)化，以試驗(yàn)數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。

5 結(jié)論
    經(jīng)設(shè)計(jì)、調(diào)試后，開(kāi)關(guān)電源在環(huán)境實(shí)驗(yàn)及常溫連續(xù)工作過(guò)程中輸出電壓穩(wěn)定，動(dòng)態(tài)響應(yīng)較快，供電品質(zhì)較高，滿(mǎn)足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。