晶體管開關(guān)電路的加速電容器
[導(dǎo)讀]飽和開關(guān)的問題點(diǎn)：OFF延時時間如圖1所示，使場效應(yīng)晶體管開關(guān)動作時，加給晶體管的基極電流IB：是IB=IC/hFE，決定的值大的電流。這是由于晶體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓V
飽和開關(guān)的問題點(diǎn)：OFF延時時間
如圖1所示，使場效應(yīng)晶體管開關(guān)動作時，加給晶體管的基極電流IB：是IB=IC/hFE，決定的值大的電流。這是由于晶體管的集電極一發(fā)射極飽和電壓VCE(set)減小，使晶體管的ON時的電力損耗降低的緣故。
這樣，晶體管飽和動作時，如圖2所示，基極電流IB，即使為0，晶體管也不能立刻OFF，集電極電流在積蓄(strage)時間tstg+上升時間tr，之后才變?yōu)?(toff=tstg=tr)。
圖1 基本的晶體管開關(guān)電路
圖2 為使開關(guān)高速，減小toff很重要
用于OFF晶體管的時間莎。toff比用于ON的時間ton要長，而且根據(jù)驅(qū)動基極的條件變化很大，這在高速開關(guān)電路中必需注意。
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