講講如何提升反激式開(kāi)關(guān)電源的輕載效率

現(xiàn)如今家用電器、視聽(tīng)產(chǎn)品越來(lái)越普及，加之辦公自動(dòng)化的廣泛應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)化的不斷發(fā)展，越來(lái)越多的產(chǎn)品具有了待機(jī)功能。這些新產(chǎn)品、新技術(shù)在極大方便我們生活的同時(shí)，也造成了大量的能源浪費(fèi)。大家都知道“能源之星”，歐美以及亞洲各國(guó)都有各自的一些規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，在致力于提升這些設(shè)備所用電源工作能效的同時(shí)，也注重提升輕載能效和降低待機(jī)能耗。

閑話(huà)少說(shuō)，我這里是想講講對(duì)于一個(gè)反激式開(kāi)關(guān)電源而言，我們可以通過(guò)以下幾個(gè)方面來(lái)提升輕載效率和待機(jī)功耗：

表1. 輕載能耗標(biāo)準(zhǔn)

1. 開(kāi)關(guān)MOSFET的損耗通?？梢苑譃閷?dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗、驅(qū)動(dòng)損耗等。前兩種是MOSFET的主要損耗。在輕載和空載情況下，原邊電流的峰值和有效值都會(huì)明顯降低，這時(shí)候的開(kāi)關(guān)損耗是主導(dǎo)因素。而開(kāi)關(guān)損耗與Vds電壓、開(kāi)關(guān)頻率有著直接的關(guān)系。因此，減少M(fèi)OSFET在輕載和空載時(shí)的損耗，可以通過(guò)使用QRC 模式的反激芯片和具有降頻、間歇工作方式的芯片來(lái)實(shí)現(xiàn);

2. 使用具有HV啟動(dòng)功能的芯片，這樣可以避免啟動(dòng)電阻產(chǎn)生的損耗。另外，要選擇合適的X電容泄放電阻;

3. 對(duì)反饋線(xiàn)路的優(yōu)化。選擇CTR高的光耦、低工作電流的基準(zhǔn)431以及較大的輸出電壓取樣電阻都可以一定程度的降低待機(jī)功耗。當(dāng)然，同時(shí)也要考慮到對(duì)Dynamic的影響;

4. 對(duì)吸收線(xiàn)路的優(yōu)化。傳統(tǒng)的RCD嵌位線(xiàn)路會(huì)造成比較大的損耗，相對(duì)而言，使用TVS嵌位也可以提升輕載能效和待機(jī)功耗;

此外，使用ZFB比較大的芯片，以及優(yōu)化變壓器的設(shè)計(jì)也會(huì)起到一定的積極作用。

總之，提升反激式開(kāi)關(guān)電源的輕載能效及降低待機(jī)功耗，需要對(duì)反激式拓?fù)渚€(xiàn)路做詳細(xì)的分析，抓住每一個(gè)損耗的源頭，一點(diǎn)一滴的累積并提高，才能最大限度的滿(mǎn)足日益嚴(yán)格的需求。