IR發(fā)布AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET

導(dǎo)讀：全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商國際整流器公司（International Rectifier,簡稱IR）日前發(fā)布其近日新增產(chǎn)品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET.

總所周知，IR不僅是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，還是管理方案領(lǐng)先供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V AUIRF8736M2與上一代設(shè)備相比，導(dǎo)通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導(dǎo)損耗降到最低。

性能特點(diǎn)：

●COOLiRFET硅技術(shù)

●實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗最低

●系統(tǒng)尺寸減小

●成本降低

●采用DirectFET2功率環(huán)保封裝

由于采用COOLiRFET硅技術(shù), 40V AUIRF8736M2與上一代設(shè)備相比，導(dǎo)通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導(dǎo)損耗降到最低。雙面冷卻的中罐式DirectFET2功率封裝提供卓越的熱性能和極低的寄生電感。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉這樣說，AUIRF8736M2將COOLiRFET硅性能和DirectFET2封裝相結(jié)合，不僅將導(dǎo)通電阻改善40%,也減少50%的封裝面積，為汽車應(yīng)用提供更小的系統(tǒng)尺寸和成本。

AUIRF8736M2符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，是在IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念下研制而成的，采用不含鉛的環(huán)保封裝，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 （RoHS） .

產(chǎn)品規(guī)格

AUIRF8736M2適合需要在緊湊的占位面積內(nèi)提供高功率密度的重載汽車應(yīng)用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、剎車系統(tǒng)、水泵等。