包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

1. 引言
散熱器在計算時會出現(xiàn)誤差，一般說來主要原因是很難精確地預先知道功率損耗，每只器件的參數(shù)參差不齊，并不是一樣的，而且在芯片上各處的溫度也是不同的。結(jié)果是，安全的裕度可能離開最優(yōu)值很遠?，F(xiàn)在出現(xiàn)了很多功能很強的模擬仿真工具，因此有可能在預測功率損耗和熱設(shè)計的校核方面做一些改2. 熱阻
發(fā)散出去的功率Pd 決定於導熱性能，熱量流動的面積以及溫度梯度，如下式所示：
P_d=K*A_n•dT/dx (2.1)
式中 An 是垂直於熱量流動方向的面積，K 是熱導，而T是溫度。可是這個公式并沒有甚麼用處，因為面積An 的數(shù)值我們并不知道。對於一只半導體器件，散發(fā)出去的功率可以用下式表示：
P_d=?T/R_th (2.2)
以及R_th = ?T/ P_d (2.3)
其中?T 是從半導體結(jié)至外殼的溫度增量，P_d 是功率損耗，而R_th 是穩(wěn)態(tài)熱阻。芯片溫度的升高可以用式(2.2) 所示的散熱特性來確定。考慮到熱阻與時間兩者之間的關(guān)系，我們可以得到下面的公式：
Z_th(t)= R_th•[1-exp(-t/t )] (2.4)
其中(是所討論器件的半導體結(jié)至外殼之間的散熱時間常數(shù)，我們也認為 "Pd" 是在脈沖出現(xiàn)期間的散發(fā)出去的功率。那麼，我們可以得到：
?T(t)=P_d• Z_th(t) (2.5)
如果 Pd 不是常數(shù)，那麼溫度的瞬態(tài)平均值可以近似地用下式表示：
?T(t)=P_avg(t) •Z_th(t) (2.6)
其中Pavg(t) 是散發(fā)出去的平均功率。作這個假定是合情合理的，因為瞬態(tài)過程的延續(xù)時間比散熱時間常數(shù)短。由於一只MOSFET的散熱時間常數(shù)為100ms的數(shù)量級，所以一般這并不成其為問題。熱阻可以由產(chǎn)品使用說明書上得到，它一般是用“單脈沖作用下的有效瞬態(tài)過程的熱阻曲線”來表示。

圖 1 Zth(t)　瞬態(tài)熱阻

　3. SPICE 的實現(xiàn)
本文提出的模型使用一種不同的PSPICE 模擬量行為模型（ABM）建模技術(shù)。事實上，利用這種建模方法，使用者可以用數(shù)學的方法建立模型，不必使用更多的資源。
可以看到，由SPICE內(nèi)的MOSFET模型，并不能以溫度結(jié)點的形式直接得到溫度。然而，可以用圖4中所示的“竅門”來解決這個問題。
為了做到這點，把MOSFET M1表示成為一個普通的 Level-3 MOS模型 加上一個電路。 晶體管 M1 僅僅是“感知”溫度，溫度是指通用的SPICE變量“Temp”。為了評價溫度對漏極電流的影響（由M1我們只能夠確定在溫度“Temp” 例如在 27 °C時，電流隨著漏極電壓的變化），增加了電路 G1 。這部份電路可以看成是電流受控制

進。然而，為了確保長期可靠性，運用復雜的限流技術(shù)可以更進一步地把最高結(jié)溫（或者最大功率損耗）維持在一個預定的數(shù)值以下。 動態(tài)負載變化所引?的任何熱響應的改變都可以直接地進行測量，并且用閉路控制的方法來修正。