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[導(dǎo)讀]“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫,譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)

“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫,譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功率輸出級的器件。

MOSFET共有三個腳,一般為G、D、S,通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。功率MOSFET是一種多子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻特性好、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動功率小、安全工作區(qū)寬、無二次擊穿問題等顯著優(yōu)點。目前,功率MOSFET的指標達到耐壓600V、電流70A、工作頻率100kHz的水平,在開關(guān)電源、辦公設(shè)備、中小功率電機調(diào)速中得到廣泛的應(yīng)用,使功率變換裝置實現(xiàn)高效率和小型化。

功率MOSFET與雙極型功率相比具有如下特點:

1.MOSFET是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件),因此在驅(qū)動大電流時無需推動級,電路較簡單;

2.輸入阻抗高,可達108Ω以上;

3.工作頻率范圍寬,開關(guān)速度高(開關(guān)時間為幾十納秒到幾百納秒),開關(guān)損耗??;

4.有較優(yōu)良的線性區(qū),并且MOSFET的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多,所以它的交流輸入阻抗極高;噪聲也小,最合適制作Hi-Fi音響;

5.功率MOSFET可以多個并聯(lián)使用,增加輸出電流而無需均流電阻。

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