作為信息化時代的核心基石,集成電路的重要性逐漸為人們所認知。但是發(fā)展集成電路是一項系統(tǒng)性工程,它涉及設計、制造、封測、材料、設備等全產業(yè)鏈的整體提升。而光刻機就是集成電路這個基礎性產業(yè)中最具關鍵性的基礎裝備之一。要想解決我國集成電路產業(yè)發(fā)展中的“掐脖子”問題,推動光刻機的國產化勢在必行。
近日,中國科學院大學微電子學院與中芯國際集成電路制造有限公司在產學研合作中取得新進展,成功在光刻工藝模塊中建立了極坐標系下規(guī)避顯影缺陷的物理模型。通過該模型可有效減小浸沒式光刻中的顯影缺陷,幫助縮短顯影研發(fā)周期,節(jié)省研發(fā)成本,為確定不同條件下最優(yōu)工藝參數提供建議。該成果已在國際光刻領域期刊Journal of Micro-Nanolithography MEMS and MOEMS發(fā)表。
中國科學院大學與中芯合作,成功在光刻工藝模塊中建立了極坐標系下規(guī)避顯影缺陷的物理模型。通過該模型可有效減小浸沒式光刻中的顯影缺陷,幫助縮短顯影研發(fā)周期,節(jié)省研發(fā)成本,為確定不同條件下最優(yōu)工藝參數提供建議。
美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰(zhàn)略決策會上回答了有關的工藝問題,在EUV光刻工藝上,他認為EUV光刻機在DRAM芯片制造上不是必須的,直到1α及1β工藝上都也不會用到它。